Патенты автора Климов Алексей Олегович (RU)
Изобретение относится к акустическим способам неразрушающего контроля и может быть использовано при ультразвуковом монтаже проволок на платы для контроля качества монтажа любых видов керамических, фторопластовых и композитных подложек. Осуществляют измерение мгновенных значений тока преобразователя (I) и деформации проволоки (d) в процессе проведения микросварки. В отрезке времени после начала подачи ультразвуковой мощности в зону сварки осуществляют анализ результатов измерений. Проводят оценку размаха колебаний мгновенных значений тока УЗ преобразователя между их максимальным Imax и минимальным Imin значениями и оценку размаха колебаний мгновенных значений деформации проволоки между их максимальным dmax и минимальным dmin мгновенным значением. Вывод об отсутствии несплошностей соединения под контактной площадкой между подложкой и корпусом делают в случае Imax-Imin < 3 мА при линейном изменении деформации проволоки без колебаний ее мгновенных значений, а в случае Imax-Imin > 10 мА и dmax-dmin > 1 мкм делают вывод о наличии крупных несплошностей между соединяемыми объектами. Изобретение позволяет находить крупные дефекты без применения рентгеновской микроскопии, сделать выводы о наличии или отсутствии существенных дефектов в слое между соединяемыми объектами. 7 ил.
Изобретение относится к электронной технике, а именно, касается технологии изготовления гибридных микросхем, и может быть использовано в производстве гибридных фотоэлектрических сборок путем микросварки. В частности, в инфракрасной фотоэлектронике используются гибридные сборки фоточувствительных линейных или матричных массивов, размещенных на одной полупроводниковой подложке, электрически связанных с интегральными схемами считывания и предварительной обработки (ИС СПО), размещенными на других полупроводниковых подложках. Техническим результатом изобретения является улучшение качества сборки и снижение времени сборки, также техническим результатом является упрощение конструкции. Эффективность способа заключается в появившейся возможности поворота периферийных плоскостей на заданный угол, что, не снижая надежность соединений, позволяет производить сборку всех элементов гибридной фотоэлектрической схемы на любой сборочной установке. Кроме того, использование данного способа позволяет значительно повысить производительность труда. 3 ил.
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки в защитной среде и может быть использовано при сборке кристаллов в корпуса силовых и усилительных приборов. Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу включает предварительное облуживание нижней металлизированной поверхности кристалла и корпуса в расплавленном припое, перемещение кристалла, его прижим к полированной зеркальной неметаллизированной поверхности и выдержку при охлаждении, поднятие и перемещение кристалла к месту предполагаемого соединения, прижим кристалла к основанию и его притирку. Пайка проводится в среде защитной атмосферы. Техническим результатом изобретения является совершенствование технологического процесса соединения кристалла и корпуса, улучшение смачивания припоем паяемых поверхностей кристалла и корпуса, получение качественного паяного соединения без пустот и оксидных включений, улучшение теплоотвода и повышение выходной рассеиваемой мощности кристалла.
