Патенты автора Жук Алексей Андреевич (RU)

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых и аналого-цифровых интерфейсах для обработки сигналов датчиков физических величин. Технический результат: повышение предельных значений скорости нарастания выходного напряжения без ухудшения энергетических параметров операционного усилителя в статическом режиме, а также без использования СВЧ технологических процессов его изготовления, уменьшающих паразитные емкости. Технический результат достигается тем, что в схему первого буферного усилителя введены первый и второй дополнительные транзисторы, первый и второй дополнительные источники опорного тока, первый и второй дополнительные корректирующие конденсаторы, кроме этого, в схему второго буферного усилителя введены третий и четвертый дополнительные транзисторы, третий и четвертый дополнительные источники опорного тока, третий и четвертые дополнительные корректирующие конденсаторы. 7 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве двухтактных буферных усилителей. Технический результат: создание буферного усилителя с повышенными (на 1-2 порядка) значениями максимальной скорости нарастания выходного напряжения при малом статическом токопотреблении, не превышающем статическое токопотребление буферного усилителя-прототипа. Такой результат достигается тем, что в буферном усилителе объединенные эмиттеры первого (3) и второго (4) входных транзисторов связаны с объединенными эмиттерами третьего (10) и четвертого (11) входных транзисторов через дополнительный корректирующий конденсатор (15), эмиттер первого (9) выходного транзистора связан с выходом устройства (2) через первый (16) дополнительный резистор, а эмиттер второго (14) выходного транзистора связан с выходом устройства (2) через второй (17) дополнительный резистор. 13 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве двухтактных буферных усилителей. Технический результат: создание буферного усилителя с повышенными (в 8-10 раз) значениями максимальной скорости нарастания выходного напряжения, который достигается тем, что в схему введены дополнительные транзисторы, причем базы первого (15) и второго (16) дополнительных транзисторов подключены к выходу (2) устройства, эмиттер первого (15) дополнительного транзистора соединен со второй (8) шиной источника питания и соединен с базой третьего (17) дополнительного транзистора, коллектор которого согласован со второй (8) шиной источника питания, эмиттер второго (16) дополнительного транзистора соединен с первой (6) шиной источника питания и соединен с базой четвертого (18) дополнительного транзистора, коллектор которого согласован с первой (6) шиной источника питания, коллектор второго (16) дополнительного транзистора соединен со второй (8) шиной источника питания, коллектор первого (15) дополнительного транзистора связан с первой (6) шиной источника питания, эмиттер третьего (17) дополнительного транзистора соединен с объединенными эмиттерами третьего (10) и четвертого (11) входных транзисторов, а эмиттер четвертого (18) дополнительного транзистора соединен с объединенными эмиттерами первого (3) и второго (4) входных транзисторов. 14 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. Технический результат: создание буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n-переходом и биполярных GaAs p-n-р-транзисторах и обеспечивающего малую зону нечувствительности амплитудной характеристики. Двухтактный арсенид-галлиевый буферный усилитель с малой зоной нечувствительности амплитудной характеристики содержит вход (1) и выход (2) устройства, источник сигнала (3), соединенный со входом (1) устройства, выходной биполярный транзистор (4), база которого соединена со входом (1) устройства, а коллектор связан с первой (5) шиной источника питания, причем выход устройства (2) связан с эмиттером выходного биполярного транзистора (4), входной полевой транзистор (6), сток которого согласован со второй (7) шиной источника питания, вспомогательный источник тока (8), согласующий р-n-переход (9). Затвор входного полевого транзистора (6) соединен со входом (1) устройства, его исток связан со вспомогательным источником тока (8) и подключен к затвору дополнительного полевого транзистора (10), сток дополнительного полевого транзистора (10) согласован со второй (7) шиной источника питания, а исток связан с выходом (2) устройства через согласующий р-n-переход (9) и подключен к стоку входного полевого транзистора (6). 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве элемента усиления и преобразования аналоговых сигналов, в структуре арсенид-галлиевых микросхем различного функционального назначения. Технический результат: увеличение крутизны усиления дифференциального преобразователя без существенного повышения общего статического токопотребления GaAs транзисторов. Арсенид-галлиевый дифференциальный преобразователь «напряжение-ток» содержит первый (1) и второй (2) входы, а также первый (3) и второй (4) токовые выходы, первый (5) и второй (6) входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой (7) шиной источника питания через первый (8) источник опорного тока, первый (9) и второй (10) вспомогательные резисторы, причем первый (3) и второй (4) токовые выходы согласованы со второй (11) шиной источника питания, затвор первого (5) входного полевого транзистора соединен с первым (1) входом устройства, затвор второго (6) входного полевого транзистора связан со вторым (2) входом устройства. Сток первого (5) входного полевого транзистора соединен с затвором первого (12) дополнительного полевого транзистора и связан с истоком первого (12) дополнительного полевого транзистора и затвором второго (13) дополнительного полевого транзистора через первый (9) вспомогательный резистор, сток второго (13) дополнительного полевого транзистора соединен с первым (3) токовым выходом устройства, исток второго (13) дополнительного полевого транзистора подключен к стоку первого (12) дополнительного полевого транзистора, сток второго (6) входного полевого транзистора соединен с затвором третьего (14) дополнительного полевого транзистора и связан с истоком третьего (14) дополнительного полевого транзистора и затвором четвертого (15) дополнительного полевого транзистора через второй (10) вспомогательный резистор, сток четвертого (15) дополнительного полевого транзистора подключен ко второму (4) токовому выходу устройства, а его исток связан со стоком третьего (14) дополнительного полевого транзистора, первый (8) источник опорного тока выполнен в виде управляемого по входу (16) инвертирующего источника опорного тока, истоки второго (13) и четвертого (15) дополнительных полевых транзисторов связаны с эмиттером дополнительного биполярного транзистора (17), база которого подключена к источнику напряжения смещения (18), а коллектор соединен с управляющим входом (16) источника опорного тока (8). 2 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. Технический результат: создание буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n переходом и биполярных GaAs p-n-р транзисторах. Арсенид-галлиевый буферный усилитель на полевых и биполярных р-n-р транзисторах содержит вход (1) и выход (2) устройства, входной полевой транзистор (3), затвор которого соединен со входом (1) устройства, исток подключен к выходу (2) устройства, а сток согласован с первой (4) шиной источника питания, выход устройства (2) соединен со стоком выходного полевого транзистора (5), затвор которого связан со второй (6) шиной источника питания через источник опорного тока (7), между истоком выходного полевого транзистора (5) и второй (6) шиной источника питания включен источник опорного напряжения (8), вспомогательный полевой транзистор (9), сток которого соединен с первой (4) шиной источника питания, вспомогательный р-n переход (10). Затвор вспомогательного полевого транзистора (9) соединен со стоком входного полевого транзистора (3), исток вспомогательного полевого транзистора (9) подключен к стоку входного полевого транзистора (3) через дополнительный резистор (11) и связан с эмиттером дополнительного биполярного транзистора (12), база дополнительного биполярного транзистора (12) соединена с источником напряжения смещения (13), коллектор дополнительного биполярного транзистора (12) связан с затвором выходного полевого транзистора (5), а между источником напряжения смещения (13) и стоком входного полевого транзистора (3) включен вспомогательный р-n переход (10). 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат: создание усилителя на однотипных n-p-n биполярных транзисторах, который обеспечивает передачу на выход устройства входного напряжения относительно общей шины с близким к единице коэффициентом усиления и при сопротивлениях нагрузки, изменяющихся в широком диапазоне. Для этого предложен буферный усилитель класса АВ на n-p-n биполярных транзисторах, который содержит вход (1) и выход (2) устройства, входной транзистор (3), первую (4) шину источника питания, первый (5) токостабилизирующий двухполюсник, вторую (6) шину источника питания, первый (7) выходной транзистор, второй (8) токостабилизирующий двухполюсник, второй (10) выходной транзистор, вспомогательный транзистор (11), третий (12) токостабилизирующий двухполюсник, вспомогательный p-n переход (13) и вспомогательный резистор (14). 6 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат: создание усилителя на комплементарных биполярных транзисторах, в котором разрешено техническое противоречие между статическим током потребления Ip и максимальным выходным током в нагрузке (. Для этого предложен двухтактный буферный усилитель на комплементарных биполярных транзисторах, который содержит вход (1) и выход (2) устройства, первый (3) и второй (4) входные транзисторы, первую (5) шину источника питания, выходной (6) транзистор, вторую (7) шину источника питания, вспомогательный (8) транзистор, источник опорного тока (9), токовое зеркало (10), дополнительный транзистор (11). 1 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и микроэлектроники. Технический результат: повышение предельных значений SR без ухудшения энергетических параметров ОУ в статическом режиме, а также без использования дорогостоящих СВЧ технологических процессов его изготовления. Для этого предложен быстродействующий операционный усилитель с дифференцирующими цепями коррекции переходного процесса, в котором по сравнению с прототипом эмиттер первого (18) выходного транзистора связан с эмиттером четвертого (21) выходного транзистора, эмиттер второго (19) выходного транзистора подключен к эмиттеру третьего (20) выходного транзистора, причем между базами первого (18) и второго (19) выходных транзисторов включен второй (23) корректирующий конденсатор, а между базами третьего (20) и четвертого (21) выходных транзисторов включен третий (24) корректирующий конденсатор. 10 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат: создание двухтактного буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и биполярных GaAs p-n-p транзисторах, который имеет малый статический ток потребления и обеспечивает стабильность основных параметров в диапазоне внешних воздействий. Для этого предложен арсенид-галлиевый буферный усилитель на основе n-канальных полевых и p-n-p биполярных транзисторов, который содержит вход (1) и выход (2) устройства, входной n-канальный полевой транзистор (3), первую (4) шину источника питания, двухполюсник нагрузки (5), общую шину источников питания (6), вторую (7) шину источника питания. В схему введен первый (8) дополнительный арсенид-галлиевый p-n-p биполярный транзистор и первый (9) дополнительный арсенид-галлиевый полевой транзистор с n-каналом. 6 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники. Технический результат: создание повторителя сигнала, обеспечивающего малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля. Для этого предложен истоковый повторитель сигнала, который содержит вход (1) и выход (2) устройства, входной полевой транзистор с p-каналом (3), выходной n-p-n биполярный транзистор (4), первую (5) шину источника питания, источник опорного тока (6), вторую (7) шину источника питания. Сток входного полевого транзистора с p-каналом (3) соединен с первой (5) шиной источника питания, исток соединен с базой выходного n-p-n биполярного транзистора (4) и через прямосмещенный p-n-переход на биполярном n-p-n-транзисторе (8) связан с выходом устройства (2), при этом источник опорного тока (6) содержит первый (9) и второй (10) вспомогательные полевые транзисторы с p-каналом, затворы которых соединены со второй (7) шиной, стоки соединены с выходом (2), а истоки объединены и подключены ко второй (7) шине через два параллельно включенных прямосмещенных p-n-перехода на первом (11) и втором (12) вспомогательных транзисторах. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение может быть использовано в качестве выходного каскада операционных усилителей. Технический результат: обеспечение коэффициента передачи по напряжению, близкого к единице, малого статического тока потребления, а также обеспечение в относительно низкоомной нагрузке токов двух направлений. Для этого предложен неинвертирующий выходной каскад арсенид-галлиевого операционного усилителя, который содержит вход (1) и выход (2), входной (3) полевой транзистор, вспомогательный (4) полевой транзистор, первую (5) шину, первый (6) выходной биполярный транзистор, второй (7) выходной биполярный транзистор, согласующий резистор (8), вторую (9) шину. Сток входного (3) полевого транзистора связан с истоком вспомогательного (4) полевого транзистора и базой первого (6) выходного биполярного транзистора через согласующий резистор (8), а исток подключен к выходу (2), эмиттер первого 6 выходного биполярного транзистора соединен с первой (5) шиной, а его коллектор подключен к выходу (2) устройства, причем эмиттер второго (7) выходного биполярного транзистора связан с выходом (2) устройства, а его коллектор подключен ко второй (9) шине. 8 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники. Технический результат: создание усилителя, обеспечивающего малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля, малые входные токи, а также высокое быстродействие. Для этого предложен быстродействующий двухтактный буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах, который содержит вход (1) и выход (2) устройства, первый (3) выходной полевой транзистор, первый (4) токовый выход устройства, первую (5) шину источника питания, второй (6) выходной полевой транзистор, второй (7) токовый выход устройства, вторую (8) шину источника питания, первый (9) и второй (10) нелинейные двухполюсники. Затворы первого (3) и второго (6) выходных полевых транзисторов соединены со входом (1) устройства, исток первого (3) выходного полевого транзистора связан с выходом (2) устройства через первый (9) нелинейный двухполюсник, а исток второго (6) выходного полевого транзистора связан с выходом (2) устройства через второй (10) нелинейный двухполюсник. 7 з.п. ф-лы, 16 ил.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: уменьшение систематической составляющей напряжения смещения нуля истокового повторителя с единиц вольт до уровня единиц микровольт. Для этого предложен истоковый повторитель, который содержит вход (1) и выход (2) устройства, входной полевой транзистор (3), сток которого соединен с первой (4) шиной источника питания, затвор подключен ко входу (1) устройства, а исток связан с выходом (2) устройства, выходной полевой транзистор (5), исток которого связан со второй (6) шиной источника питания, а сток подключен к выходу устройства (2). Исток входного полевого транзистора (3) связан с выходом устройства (2) через первый (7) прямосмещенный p-n-переход, а исток выходного полевого транзистора (5) связан со второй (6) шиной источника питания через второй (8) прямосмещенный p-n-переход, причем затвор выходного полевого транзистора (5) соединен со второй (6) шиной источника питания. 6 з.п. ф-лы, 17 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат: создание двухтактного буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим p-n переходом и биполярных GaAs p-n-p транзисторах, который имеет малый статический ток потребления и обеспечивает в относительно низкоомной нагрузке токи двух направлений. Для этого предложен арсенид-галлиевый буферный усилитель, который содержит вход (1) и выход (2) устройства, входной полевой транзистор (3), первую (4) шину источника питания, выходной биполярный транзистор (5), вторую (6) шину источника питания, первый (7) токостаблизирующий двухполюсник. В схему введены первый (8) и второй (9) биполярные транзисторы, базы которых объединены и подключены к выходу (2) устройства и коллектору первого (8) биполярного транзистора, эмиттеры первого (8) и второго (9) биполярных транзисторов подключены к истоку входного полевого транзистора (3), а коллектор второго (9) биполярного транзистора связан с базой выходного биполярного транзистора (5). 6 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и может использоваться, например, для фильтрации сигналов в системах радиомониторинга или подавления помех в линиях связи с датчиками и в шинах питания интегральных микросхем. Технический результат: создание условий, при которых реализуется режекторный фильтр семейства Sallen-Key с малым токопотреблением на основе одного мультидифференциального операционного усилителя. Режекторный фильтр семейства Sallen-Key на основе мультидифференциального операционного усилителя содержит вход (1) и выход (2), мультидифференциальный операционный усилитель (3) с неинвертирующим (4) и инвертирующим (5) входами первого входного порта, а также с неинвертирующим (6) и инвертирующим (7) входами второго входного порта, первый (8) и второй (9) частотозадающие резисторы, первый (10) и второй (11) частотозадающие конденсаторы. Выход усилителя (3) соединён с выходом (2). Режекторный фильтр так же содержит первый (13) и второй (14) дополнительные частотозадающие резисторы, а также первый (15) и второй (16) дополнительные частотозадающие конденсаторы, причём вход (1) связан с неинвертирующим (4) входом первого входного порта усилителя (3) через последовательно соединённые первый (8) и второй (9) частотозадающие резисторы, общий узел которых подключен к выходу (2) через первый (10) частотозадающий конденсатор, вход (1) связан с неинвертирующим (6) входом второго входного порта усилителя (3) через последовательно соединённые первый (15) и второй (16) дополнительные частотозадающие конденсаторы, общий узел которых подключен к выходу (2) и инвертирующему (7) входу второго входного порта мультидифференциального операционного усилителя (3) через первый (13) дополнительный частотозадающий резистор, инвертирующий (5) вход первого входного порта усилителя (3) согласован с общей шиной источников питания (12), неинвертирующий вход (4) первого входного порта усилителя (3) связан с общей шиной источников питания (12) через второй (11) частотозадающий конденсатор, неинвертирующий (6) вход второго входного порта усилителя (3) связан с общей шиной источников питания (12) через второй (14) дополнительный частотозадающий резистор. 5 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада усилителя мощности различных аналоговых устройств, допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. Технический результат заявленного изобретения заключается в создании выходного каскада усилителя мощности, реализуемого только на арсенид-галлиевых JFET полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и GaAs биполярных p-n-p-транзисторах. Технический результат достигается за счет того, что арсенид-галлиевый выходной каскад усилителя мощности содержит вход (1) и выход (2) устройства, входной (3) полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, затвор которого соединен со входом (1) устройства, а сток связан с первой (4) шиной источника питания, выходной (5) биполярный транзистор, эмиттер которого соединен с выходом (2) устройства, а коллектор подключен ко второй (6) шине источника питания. Затворы первого (7) и второго (8) вспомогательных полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом подключены ко второй (6) шине источника питания. Сток первого (7) вспомогательного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом связан с базой выходного (5) биполярного транзистора. Затвор второго вспомогательного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом дополнительно связан со своим истоком через первый (9) токостабилизирующий двухполюсник. Дополнительно в схему арсенид-галлиевого выходного каскада усилителя мощности введены первый (10) и второй (11) дополнительные биполярные транзисторы, а также первый (12) и второй (13) дополнительные резисторы. Исток входного (3) полевого транзистора с управляющим p-n-переходом соединен с выходом (2) устройства, а его сток связан с первой (4) шиной источника питания через первый (12) дополнительный резистор и подключен к эмиттеру первого (10) дополнительного биполярного транзистора. Эмиттер второго (11) дополнительного биполярного транзистора связан с первой (4) шиной источника питания через второй (13) дополнительный резистор, а его база соединена с базой и коллектором первого (10) дополнительного биполярного транзистора и подключена к стоку второго (8) вспомогательного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Коллектор второго (11) дополнительного биполярного транзистора соединен со стоком первого (7) вспомогательного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, исток которого связан со второй (6) шиной источника питания через третий (14) дополнительный резистор. 3 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в качестве арсенид-галлиевого выходного каскада различных GaAs аналоговых устройств, в том числе быстродействующих операционных усилителей (ОУ), допускающих работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких или высоких температур. Технический результат: создание выходного каскада операционного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом и биполярных GaAs p-n-p-транзисторах, который обеспечивает в нагрузке Rн (фиг. 1) выходные токи положительного iн(+) и отрицательного iн(-) направлений, а также ускоряет процесс перезарядки емкости нагрузки Cн, что важно для быстродействующих ОУ. Арсенид-галлиевый выходной каскад быстродействующего операционного усилителя содержит вход (1) и выход (2) устройства, входной (3) и выходной (4) p-n-p-транзисторы, токостабилизирующий двухполюсник (5), первую (6) и вторую (7) шины источников питания. В схему введены дополнительный p-n-p-транзистор (8), первый (9) и второй (10) дополнительные полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом, а также первый (11) и второй (12) дополнительные токостабилизирующие двухполюсники. 2 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники, обеспечивающей работу в условиях воздействия проникающей радиации, низких и высоких температур. Технический результат заключается в создании буферного усилителя, реализуемого на JFET арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим р-n переходом и биполярных GaAs р-n-р транзисторах, который обеспечивает в нагрузке RH выходные токи положительного iH(+) и отрицательного iH(-) направлений. Арсенид-галлиевый буферный усилитель содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) и второй (4) полевые транзисторы с управляющим р-n переходом, истоки которых объединены и подключены к выходу (5) устройства, первую (6) шину источника питания, токовое зеркало (7), согласованное с первой (6) шиной источника питания, выход токового зеркала (7) связан со второй (8) шиной источника питания через источник опорного тока (9). Между выходом токового зеркала (7) и источником опорного тока (9) включен согласующий двухполюсник (10), выход (5) устройства подключен к эмиттеру дополнительного биполярного транзистора (11), коллектор которого соединен со второй (8) шиной источника питания, причем база дополнительного биполярного транзистора (11) и второй (2) вход устройства связаны с выводами согласующего двухполюсника (10). 6 з.п. ф-ы, 8 ил.

Изобретение относится к радиотехнике и связи и может быть использовано в качестве интерфейса для ограничения спектра источника сигнала, например, при его дальнейшей обработке аналого-цифровыми преобразователями различных модификаций. Технический результат заключается в обеспечении расширенного диапазона частот полосового активного фильтра четвертого порядка с недифференциальным входом и парафазным выходом. Фильтр содержит вход (1) устройства, связанный с источником сигнала (2), первый (3) и второй (4) выходы устройства, выходной операционный усилитель (5), причем инвертирующий выход выходного операционного усилителя (5) соединен с первым (3) выходом устройства, неинвертирующий выход выходного операционного усилителя (5) соединен со вторым (4) выходом устройства, неинвертирующий вход выходного операционного усилителя (5) связан с первым (3) выходом устройства через последовательно соединенные первый (6), второй (7) и третий (8) резисторы, неинвертирующий вход выходного операционного усилителя (5) соединен с первым (3) выходом устройства через первый (9) конденсатор, общий узел первого (6) и второго (7) резисторов связан со вторым (4) выходом устройства через второй (10) конденсатор, инвертирующий вход выходного операционного усилителя (5) и источник сигнала (2) согласованы с общей шиной источника питания (11), третий (12) конденсатор, четвертый (13) резистор. В схему устройства введены дополнительный конденсатор (14), причем вход (1) устройства связан с общим узлом второго (7) и третьего (8) резисторов через последовательно соединенные дополнительный конденсатор (14) и третий (12) конденсатор, общий узел дополнительного конденсатора (14) и третьего (12) конденсатора соединен со вторым (4) выходом устройства через четвертый (13) резистор. 3 ил.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: высокая стабильность статического режима входных транзисторов при воздействии отрицательных температур. Для этого предложен дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах, в котором третий (10) и четвертый (11) токовые выходы устройства согласованы с первой (8) шиной источника питания, затвор третьего (12) вспомогательного полевого транзистора подключен к объединенными истокам третьего (5) и четвертого (6) входных полевых транзисторов, а его сток согласован со второй (16) шиной источника питания, исток второго (14) вспомогательного полевого транзистора связан с объединенными истоками третьего (5) и четвертого (6) входных полевых транзисторов через второй (15) вспомогательный резистор, затвор второго (14) вспомогательного полевого транзистора соединен с объединенными истоками первого (3) и второго (4) входных полевых транзисторов, а сток второго (14) вспомогательного полевого транзистора подключен ко второй (16) шине источника питания. 7 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники. Технический результат: малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм), а также повышенные коэффициент усиления (Ку) по напряжению и коэффициент ослабления входных синфазных сигналов (Кос.сф). Технический результат обеспечивается схемой радиационно-стойкого и низкотемпературного операционного усилителя, реализованной на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, включающей первый и второй входы устройства, источник опорного тока, первую и вторую шины источника питания, активную динамическую нагрузку, выполненную в виде неуправляемой активной динамической нагрузки и согласованную со второй шиной источника питания, буферный усилитель, выход которого является выходом устройства. 1 з.п. ф-лы, 11 ил.

Предполагаемое изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание радиационно-стойкого и низкотемпературного JFet операционного усилителя. Для этого предложен операционный усилитель с «плавающим» входным дифференциальным каскадом на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, в котором в отличие от прототипа между объединенными истоками первого (5) и второго (6) входных полевых транзисторов и объединенными истоками третьего (7) и четвертого (8) входных полевых транзисторов включен элемент стабилизации статического режима (9) входных полевых транзисторов на основе первого (18) дополнительного полевого транзистора и первого (19) дополнительного резистора, причем сток первого (18) дополнительного полевого транзистора подключен к объединенным истокам первого (5) и второго (6) входных полевых транзисторов, затвор первого (18) дополнительного полевого транзистора соединен с объединенными истоками третьего (7) и четвертого (8) входных полевых транзисторов, а также предложены другие элементы и связи. 3 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях (ОУ), компараторов и т.п., в том числе работающих при низких температурах и воздействии радиации. Технический результат: обеспечение работы в режиме класса АВ, т.е. повышение его максимального выходного напряжения, а также увеличение его напряжения ограничения проходной характеристики (Uгр) в условиях криогенных температур и воздействия проникающей радиации. Дифференциальный каскад класса АВ с нелинейным параллельным каналом содержит первый (1) и второй (2) входы, первый (3) и второй (4) токовые выходы, третий (6) и четвертый (7) токовые выходы, первый (9) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом, а сток подключен к первому (3) токовому выходу, второй (10) входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (2) входом, а сток подключен ко второму (4) токовому выходу, третий (11) входной полевой транзистор, сток которого подключен к третьему (6) токовому выходу, четвертый (12) входной полевой транзистор, сток которого соединен с четвертым (7) токовым выходом, первый (13) и второй (14) токостабилизирующие двухполюсники. В схему введены первый (15) и второй (16) дополнительные полевые транзисторы, затвор первого (15) дополнительного полевого транзистора подключен к первому (1) входу, затвор второго (16) дополнительного полевого транзистора подключен ко второму (2) входу, между истоками первого (15) и второго (16) дополнительных полевых транзисторов включены последовательно соединенные первый (17) и второй (18) вспомогательные резисторы, общий узел которых соединен с затворами третьего (11) и четвертого (12) входных полевых транзисторов, между истоком первого (15) дополнительного полевого транзистора и второй (8) шиной источника питания включен первый (13) токостабилизирующий двухполюсник, между истоком второго (16) дополнительного полевого транзистора и второй (8) шиной источника питания включен второй (14) токостабилизирующий двухполюсник, исток третьего (11) входного полевого транзистора связан с истоком первого (9) входного полевого транзистора, а исток четвертого (12) входного полевого транзистора связан с истоком второго (10) входного полевого транзистора. 3 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области электроники и радиотехники и может быть использовано в качестве преобразователя входного напряжения в пропорциональные и противофазные выходные токи (ПНТ). Технический результат: обеспечение работоспособности ПНТ при однополярном питании, а также создание схемы ПНТ с двумя противофазными токовыми выходами, обеспечение возможности его применения в промежуточных каскадах операционных усилителей. Преобразователь содержит вход (1) и первый (2) токовый выход устройства, согласованный с первой (3) шиной источника питания, входной (4) полевой транзистор, затвор которого подключен к входу (1) устройства, первый (5) выходной полевой транзистор, сток которого согласован с первой (3) шиной источника питания, а исток соединен с затвором первого (5) выходного полевого транзистора через первый (6) токостабилизирующий резистор, второй (7) выходной полевой транзистор, сток которого соединен с первым (2) токовым выходом устройства, а затвор подключен ко второй (8) шине источника питания, сток входного (4) полевого транзистора связан со второй (8) шиной источника питания, а исток первого (5) выходного полевого транзистора подключен к истоку второго (7) выходного полевого транзистора, причем исток входного (4) полевого транзистора соединен с затвором первого (5) выходного полевого транзистора. 3 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например операционных усилителях (ОУ), компараторах и т.п., в том числе работающих при низких температурах и воздействии радиации. Технический результат: расширение диапазона активной работы ДУ – увеличение его напряжения ограничения проходной характеристики (Uгр) в условиях криогенных температур и воздействия проникающей радиации. Дифференциальный усилитель класса АВ на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом содержит первый (1) и второй (2) входы, образующие дифференциальный вход устройства, первый (3) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом устройства, а сток подключен к первому (4) токовому выходу устройства, согласованному с первой (5) шиной источника питания, второй (6) входной полевой транзистор, затвор которого подключен ко второму (2) входу устройства, а сток связан со вторым (7) токовым выходом устройства, согласованным с первой (5) шиной источника питания, третий (8) входной полевой транзистор, сток которого соединен с третьим (9) токовым выходом устройства, согласованным со второй (10) шиной источника питания, четвертый (11) входной полевой транзистор, сток которого соединен с четвертым (12) токовым выходом устройства, согласованным со второй (10) шиной источника питания, первый (13) и второй (14) источники опорного тока. В схему введены первый (15) и второй (16) согласующие транзисторы, затвор первого (15) согласующего транзистора соединен с первым (1) входом устройства, его сток подключен к первой (5) шине источника питания, а исток связан со второй (10) шиной источника питания через первый (13) источник опорного тока и соединен с затвором четвертого (11) входного полевого транзистора, затвор второго (16) согласующего транзистора соединен со вторым (2) входом устройства, его сток подключен к первой (5) шине источника питания, а исток связан со второй (10) шиной источника питания через второй (14) источника опорного тока и соединен с затвором третьего (8) входного полевого транзистора, причем затвор третьего (8) входного полевого транзистора связан с истоком первого (3) входного полевого транзистора, а исток четвертого (11) входного полевого транзистора связан с истоком второго (6) входного полевого транзистора. 2 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области вторичных источников электропитания и может быть использовано в структуре аналоговых и цифровых микросхем, работающих в условиях криогенных температур и воздействия радиации. Технический результат заявленного изобретения заключается в создании условий в архитектуре известного КСН, при которых становится возможным применение JFET транзисторов и, как следствие, обеспечивается надежная работа устройства в тяжелых условиях эксплуатации. Кроме этого, создаваемые JFET КСН будут иметь еще одно дополнительное положительное качество – напряжение на затворе его JFET регулирующего элемента с n-каналом будет меньше выходного напряжения КСН. Это существенно упрощает цепи управления JFET регулирующим элементом и создает оптимальные условия для согласования потенциалов в схеме КСН, когда максимальные напряжения на всех других активных элементах КСН меньше, чем его выходное напряжение. Для достижения технического результата компенсационный стабилизатор напряжения на полевых транзисторах для работы при низких температурах содержит регулирующий элемент (1) на полевом транзисторе, сток которого подключен к источнику напряжения питания (2), а исток соединен с выходом (3) устройства, дифференциальный усилитель сигнала рассогласования (4) с инвертирующим (5) и неинвертирующим (6) входами, первым токовым выходом (7), а также токовым входом (8), устанавливающим статический режим дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), связанным с общей шиной источника питания (9) через источник опорного тока (10), источник опорного напряжения (11), соединенный с неинвертирующим входом (6) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), причем выход устройства (3) связан с инвертирующим входом (5) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4). Первый (7) токовый выход усилителя сигнала рассогласования (4) связан с затвором первого (12) дополнительного полевого транзистора, а также подключен к истоку первого (12) дополнительного полевого транзистора и к затвору полевого транзистора регулирующего элемента (1) через первый (13) дополнительный резистор, источник опорного тока (10) выполнен на основе второго (14) и третьего (15) дополнительных полевых транзисторов, стоки которых соединены с токовым входом (8) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4), затворы второго (14) и третьего (15) дополнительных полевых транзисторов соединены с общей шиной источника питания (9), исток второго (14) дополнительного полевого транзистора подключен к общей шине источника питания (9) через второй (16) дополнительный резистор, а исток третьего (15) дополнительного полевого транзистора подключен к общей шине (9) источника питания через третий (17) дополнительный резистор, причем сток первого (12) дополнительного полевого транзистора соединен с первым источником напряжения смещения (18), а выход устройства (3) связан с инвертирующим входом (5) дифференциального усилителя сигнала рассогласования (4) через резистивный делитель напряжения (19), содержащий последовательно соединенные первый (20) и второй (21) резисторы. 6 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано в качестве устройства преобразования аналоговых сигналов в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, активных RC-фильтрах, операционных усилителях (ОУ) и т.п., в том числе работающих при низких температурах и воздействии радиации. Технический результат: расширение диапазона активной работы, который характеризуется напряжением ограничения проходной характеристики и оказывает существенное влияние на максимальную скорость нарастания выходного напряжения, например, ОУ. Многоканальный преобразователь дифференциального напряжения в парафазные выходные токи на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом устройства, сток соединен с первым (4) токовым выходом устройства, согласованным с первой (5) шиной источника питания, второй (6) входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (2) входом устройства, а сток соединен со вторым (7) токовым выходом устройства, согласованным с первой (5) шиной источника питания, причем истоки первого (3) и второго (6) входных полевых транзисторов связаны друг с другом, третий (8) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом устройства, сток соединен с третьим (9) токовым выходом устройства, согласованным со второй (10) шиной источника питания, четвертый (11) входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (2) входом устройства, а сток соединен с четвертым (12) токовым выходом устройства, согласованным со второй (10) шиной источника питания, причем истоки третьего (8) и четвертого (11) входных полевых транзисторов связаны друг с другом, первый (13) вспомогательный полевой транзистор, сток которого подключен к объединенным истокам третьего (8) и четвертого (11) входных полевых транзисторов, а исток связан с объединенными истоками первого (3) и второго (6) входных полевых транзисторов, через первый (14) вспомогательный резистор, второй (15) вспомогательный полевой транзистор и второй (16) вспомогательный резистор. Затвор первого (13) вспомогательного полевого транзистора соединен со вторым (2) входом устройства, затвор второго (15) вспомогательного полевого транзистора соединен с первым (1) входом устройства, исток второго (15) вспомогательного транзистора соединен с объединенными истоками первого (3) и второго (6) входных полевых транзисторов через второй (16) вспомогательный резистор, а его сток связан с объединенными истоками третьего (8) и четвертого (11) входных полевых транзисторов. 16 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники. Технический результат заключается в повышении коэффициента ослабления входных синфазных сигналов ОУ для работы при низких температурах, оказывающего существенное влияние на погрешности классических аналоговых интерфейсов. Усилитель содержит входные полевые транзисторы с объединенными истоками, токовые зеркала, дополнительный полевой транзистор, вспомогательный резистор, дополнительный токовый вход, связанный с затвором первого дополнительного полевого транзистора. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в качестве активного (усилительного) элемента (трёхполюсника) в различных аналоговых и аналого-цифровых устройствах (активных RC-фильтрах, операционных усилителях, стабилизаторах напряжения, электронных ключах и т.п.). Технический результат: создание радиационно-стойкого и низкотемпературного составного транзистора на комплементарных полевых транзисторах, эквивалентного по своим стоко-затворным характеристикам КМОП транзистору, обеспечивающего высокое выходное сопротивление по цепи эквивалентного стока устройства. Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом содержит эквивалентный затвор (1) устройства, эквивалентный исток (2) устройства, согласованный с первой (3) шиной источника питания, эквивалентный сток (4) устройства, согласованный со второй (5) шиной источника питания, первый (6) входной полевой транзистор, затвор которого подключен к эквивалентному затвору (1) устройства, второй (7) полевой транзистор. Сток первого (6) входного полевого транзистора соединен с эквивалентным истоком (2) устройства, исток первого (6) входного полевого транзистора соединен с истоком второго (7) полевого транзистора, затвор которого связан с эквивалентным истоком (2) устройства, причем в схему введен дополнительный полевой транзистор (8), исток которого соединен со стоком второго (7) полевого транзистора, затвор подключен к затвору первого (6) входного полевого транзистора, а его сток соединен с эквивалентным стоком (4) устройства. 1 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и микроэлектроники. Технический результат заключается в создании операционного усилителя с парафазным выходом только на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, обеспечивая высокую радиационную стойкость и устойчивую работу при криогенных температурах при экстремально малом уровне шумов. Устройство содержит входной дифференциальный каскад, шину источника питания, первую и вторую группы противофазных входов устройства, первый и второй токовые выходы входного дифференциального каскада, первый и второй противофазные выходы устройства, первый и второй резисторы отрицательной обратной связи, первый и второй выходные полевые транзисторы с объединенными затворами, токостабилизирующий резистор, второй токостабилизирующий резистор, первый источник опорного тока, буферный усилитель, второй источник опорного тока, второй буферный усилитель, первый вспомогательный полевой транзистор, третий источник опорного тока, первый, второй и третий дополнительные полевые транзисторы, дополнительный токостабилизирующий двухполюсник. 1 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники. Технический результат заключается в повышении коэффициента ослабления входных синфазных сигналов, оказывающего существенное влияние на погрешности различных аналоговых интерфейсов с заявляемым устройством. Низкотемпературный входной каскад содержит шины источника питания, входные полевые транзисторы с объединенными истоками, источники опорного тока, дополнительные полевые транзисторы, причем в качестве упомянутых выше полевых транзисторов применены полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. 2 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой. Технический результат заключается в обеспечении работоспособности ОУ в диапазоне криогенных температур и воздействии проникающей радиации, а также в получении в этих условиях повышенных значений дифференциального коэффициента усиления. Низкотемпературный двухкаскадный операционный усилитель содержит шину источника питания, источник опорного тока, выходные полевые транзисторы, причем в качестве всех вышеупомянутых полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. 5 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и аналоговой микроэлектроники. Технический результат заключается в обеспечении работоспособности ВК и ОУ на его основе в диапазоне криогенных температур и воздействии проникающей радиации, а также получении повышенных значений дифференциального коэффициента усиления. Входной каскад дифференциального операционного усилителя содержит источники питания, выходные полевые транзисторы, токостабилизирующий двухполюсник, дополнительные полевые транзисторы, в качестве всех упомянутых выше полевых транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом. 4 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых микросхемах и аналого-цифровых интерфейсах датчиков. Технический результат заключается в создании стабильно работающего промежуточного каскада с повышенными коэффициентами усиления по току с повышенным коэффициентом усиления по напряжению. Каскад содержит входные полевые транзисторы, выходные полевые транзисторы и дополнительные полевые транзисторы с объединенными истоками. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых микросхемах (АМ) и аналого-цифровых интерфейсах датчиков. Технический результат заключается в повышении крутизны преобразования входного дифференциального напряжения в токи первого и второго токовых выходов. Каскад содержит входные полевые транзисторы и выходные полевые транзисторы и полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. 3 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов. Технический результат заключается в создании условий, которые позволяют дифференциальным каскадам работать в режиме класса «АВ» при малом статическом токопотреблении. Дифференциальный каскад содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом устройства, сток связан с первым (4) токовым выходом, а исток подключен к истоку второго (5) входного полевого транзистора, затвор которого соединен со вторым (2) входом устройства, а сток соединен со вторым (6) токовым выходом, причем первый (4) и второй (6) токовые выходы согласованы с первой (7) шиной источника питания, третий (8) входной полевой транзистор, сток которого связан с третьим (9) токовым выходом, а исток соединен с истоком четвертого (10) входного полевого транзистора, сток которого соединен с четвертым (11) токовым выходом, причем третий (9) и четвертый (11) токовые выходы согласованы со второй (12) шиной источника питания. 3 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат: создание составного транзистора на комплементарных транзисторах, который по своим стоко-затворным характеристикам подобен КМОП полевому транзистору, т.е. имеет характерную зону закрытого состояния при напряжении затвор-исток, не превышающем пороговое напряжение. Для этого предложен составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, который содержит затвор (1), исток (2) и сток (3) устройства, первый (4) полевой транзистор, затвор которого подключен к затвору (1) устройства, второй (5) полевой транзистор, сток которого соединен со стоком (3) устройства. Первый (4) полевой транзистор и второй (5) полевой транзистор имеют разные типы каналов, сток первого (4) полевого транзистора соединен с истоком (2) устройства, его исток связан с истоком второго (5) полевого транзистора, а затвор второго (5) полевого транзистора соединен с истоком (2) устройства. 6 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание условий, при которых обеспечиваются более высокие значения коэффициента ослабления входных синфазных сигналов и коэффициента подавления помех по шинам питания. Для этого предложен дифференциальный каскад на комплементарных JFET полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала, который содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) входной полевой транзистор, первый (4) токовый выход устройства, первую (5) шину источника питания, второй (6) входной полевой транзистор, второй (7) токовый выход устройства, третий (8) входной полевой транзистор, третий (9) токовый выход устройства, вторую (10) шину источника питания, четвертый (11) входной полевой транзистор, четвертый (12) токовый выход устройства, первый (13) дополнительный полевой транзистор, первый (14) вспомогательный двухполюсник. 1 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов. Технический результат заключается в повышении стабильности статического режима входных полевых транзисторов при отрицательных температурах, возможности изменения напряжения ограничения проходной характеристики ДУ. Дифференциальный усилитель содержит полевой транзистор, затвор которого соединен с первым входом устройства, а сток подключен к первому токовому выходу, согласованному с первой шиной источника питания, второй входной полевой транзистор, затвор которого подключен ко второму входу устройства, а сток связан со вторым токовым выходом устройства, согласованным с первой шиной источника питания. Истоки первого и второго входных полевых транзисторов связаны друг с другом через последовательно включенные первый и второй дополнительные резисторы, истоки третьего и четвертого входных полевых транзисторов связаны друг с другом через последовательно включенные третий и четвертый дополнительные резисторы. 2 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного схемотехнического решения буферного усилителя. Буферный усилитель для работы при низких температурах содержит вход и выход устройства, неинвертирующий повторитель напряжения, высокоомный вход которого соединен со входом устройства, токовый выход связан с первой шиной источника питания, а низкоомный потенциальный выход соединен с выходом устройства, инвертирующий усилитель, согласованный со второй шиной источника питания, токовый выход которого соединен с выходом устройства, а вход связан со второй шиной источника питания через согласующий двухполюсник и подключен к коллектору первого вспомогательного транзистора, причем эмиттер первого вспомогательного транзистора соединен с эмиттером второго вспомогательного транзистора и через токостабилизирующий двухполюсник связан с первой шиной источника питания, при этом в качестве первого и второго вспомогательных транзисторов используются полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом, сток которых соответствует коллектору, исток – эмиттеру, затвор – базе биполярного транзистора, а в качестве согласующего двухполюсника используется источник опорного тока. 2 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к дифференциальным операционным усилителям. Технический результат заключается в повышении максимальной скорости нарастания выходного напряжения без ухудшения энергетических параметров. Дифференциальный операционный усилитель содержит входной дифференциальный каскад с дифференциальными входами, а также первым и вторым токовыми выходами, первый и второй выходные транзисторы, объединенные базы которых подключены к источнику напряжения смещения, первый токостабилизирующий двухполюсник, второй токостабилизирующий двухполюсник, первый резистор коллекторной нагрузки, второй резистор коллекторной нагрузки, токовый выход устройства, первый и второй вспомогательные транзисторы, первый токостабилизирующий двухполюсник и первый корректирующий конденсатор, первое дополнительное токовое зеркало, третий вспомогательный транзистор, четвертый вспомогательный транзистор, второй токостабилизирующий двухполюсник и второй корректирующий конденсатор, второе токовое зеркало, третий корректирующий конденсатор. 2 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в аналоговых интерфейсах и устройствах преобразования сигналов, в том числе работающих в диапазоне низких температур и проникающей радиации. Технический результат заключается в повышении максимальной скорости нарастания выходного напряжения ОУ с двойным «перегнутым» каскодом, в т.ч. при работе входных транзисторов ОУ в режиме микротоков, т.е. с малым энергопотреблением. Многоканальный быстродействующий операционный усилитель содержит дифференциальные входы устройства, токовые выходы устройства, входные транзисторы, токостабилизирующие двухполюсники, шину источника питания, источник напряжения смещения, эмиттеры, коллекторы, корректирующий конденсатор, токовые зеркала, выходные транзисторы, дополнительный источник напряжения смещения, дополнительные p-n переходы. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: повышение максимальной скорости нарастания выходного напряжения и уменьшение времени установления переходного процесса. Для этого предложен быстродействующий операционный усилитель, содержащий первый (1) и второй (2) входные полевые транзисторы, инвертирующий вход (3) устройства, третий (4) и четвертый (5) входные полевые транзисторы, неинвертирующей вход (6) устройства, первый (7) токостабилизирующий двухполюсник, первая (8) шина источника питания, второй (9) токостабилизирующий двухполюсник, вторая (10) шина источника питания, первое (11) токовое зеркало, буферный усилитель (12), первый (13) корректирующий конденсатор, второе (14) токовое зеркало, выход устройства (15). Между объединенными истоками первого (1) и четвертого (5) входных полевых транзисторов и объединенными истоками второго (2) и третьего (4) входных полевых транзисторов последовательно включены второй (16) и третий (17) корректирующие конденсаторы, общий узел которых подключен к выходу устройства (15) через дополнительный резистор (18). 1 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве выходного каскада для усиления быстроизменяющихся аналоговых сигналов по мощности (буферного усилителя - БУ), в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например операционных усилителях. Технический результат: повышение максимальной скорости нарастания выходного напряжения и уменьшение времени установления переходного процесса в БУ при больших импульсных входных сигналах (соизмеренных с напряжением питания). БУ содержит первый 1 полевой транзистор, второй 3 полевой транзистор, выходной биполярный транзистор 5, первый 8 токостабилизирующий двухполюсник, дополнительное токовое зеркало 9, согласованное с первой 4 шиной источника питания, причем выход токового зеркала 9 соединен с базой транзистора 5 и связан с затвором второго 3 полевого транзистора. Наличие общей отрицательной обратной связи относительно выхода 6 обеспечивает высокую линейность амплитудной проходной характеристики. 4 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в различных аналоговых микросхемах. Технический результат заключается в расширении диапазона активной работы входного дифференциального каскада, повышении максимальной скорости нарастания выходного напряжения ОУ в режиме большого сигнала. Входной каскад быстродействующего операционного усилителя содержит первый 11 и второй 12 дополнительные транзисторы, база первого 11 дополнительного транзистора связана с первым 7 входом устройства, а эмиттер соединен с истоком второго 6 выходного полевого транзистора через первый 13 дополнительный резистор, база второго 12 дополнительного транзистора соединена со вторым (8) входом устройства, а эмиттер через второй 14 дополнительный резистор соединен с истоком первого 5 выходного полевого транзистора, затвор первого 5 выходного транзистора подключен к первому 7 входу устройства, затвор второго 6 выходного транзистора соединен со вторым 8 входом устройства, причем коллекторы первого 11 и второго 12 дополнительных транзисторов согласованы с первой 3 шиной источника питания. 1 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники. Технический результат заключается в повышении стабильности статического режима и низком уровне шумов при работе устройства в диапазоне низких температур с высокой линейностью амплитудной характеристики. Биполярно-полевой буферный усилитель содержит вход (1) и выход (2) устройства, первый (3) повторитель напряжения, низкоомный выход которого соединен с выходом устройства (2), второй (4) повторитель напряжения, низкоомный выход которого соединен с выходом устройства (2), первый (5) и второй (6) полевые транзисторы, первый (7) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между первой (8) шиной источника питания и истоком первого (5) полевого транзистора, источник опорного тока (9), причем коллекторная цепь первого (3) повторителя напряжения связана с первой (8) шиной источника питания, а стоковая цепь второго (4) повторителя напряжения связана со второй (10) шиной источника питания. 6 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области электроники и радиотехники. Технический результат: уменьшение коэффициента передачи входного синфазного сигнала. Технический результат достигается за счет новых элементов и связей, введенных в дифференциальный усилитель с повышенным ослаблением синфазного сигнала: второй (3) токовой выход входного дифференциального каскада (1) связан со входом второго (9) токового зеркала через первую (10) цепь согласования потенциалов, а четвертый (5) токовый выход входного дифференциального каскада (1) связан со входом первого (7) токового зеркала через вторую (11) цепь согласования потенциалов. 5 ил.

 


© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх