Патенты автора Оболенский Сергей Владимирович (RU)
Способ динамических испытаний конструкций и систем на механические и электронные воздействия // 2787559
Изобретение касается способа динамических испытаний конструкций и систем на механические и электронные воздействия и может быть использовано при динамических испытаниях механических конструкций различного назначения и электронного оборудования на динамические механические, электромагнитные и иные динамические воздействия для определения их надежности в процессе эксплуатации. Способ заключается в нагружении оборудования заданными случайными широкополосными вибрационными, ударными и гармоническими нагрузками, при котором испытания объекта проводят в комбинированном режиме, на первом этапе которого определяют резонансные частоты объекта во всем нормируемом частотном диапазоне, а затем устанавливают частотные диапазоны, в которых проводят замену широкополосной случайной вибрации эквивалентной ей периодической гармонической вибрацией и в процессе испытаний проводят соответствующие измерения. После установления предварительной величины испытательного сигнала и с целью выявления в процессе испытаний опасных отклонений параметров объекта, которые не могут быть обнаружены известными способами испытаний, вначале напряжение m гармоник в частотном диапазоне испытаний с первого выхода блока гармоник подаётся на вход объекта испытаний, а амплитуды напряжения гармоник со второго выхода блока гармоник поступают на вход первого квадратора и на первый вход второго перемножителя, а также на первый вход блока вычислений комплексного коэффициента передачи объекта испытаний, на второй вход которого с выхода объекта испытаний поступают амплитуды напряжения гармоник, а первый выход блока комплексного коэффициента передачи, содержащий результат вычислений косинусов его фаз, подключён к третьему входу второго перемножителя, а второй выход блока вычислений модулей комплексного коэффициента передачи подключён к второму входу второго перемножителя и к входу второго квадратора, выход которого подключён к входу первого сумматора, а выход первого квадратора подключен к входу второго сумматора, выход которого подключен к первому входу первого перемножителя, ко второму входу которого подключен выход первого сумматора, а выход первого перемножителя соединён входом блока извлечения квадратного корня, выход которого соединен с первым входом блока делителя, а выход второго перемножителя соединён с входом третьего сумматора, выход которого соединён со вторым входом блока делителя, на выходе которого формируется численный коэффициент, на который умножается величина предварительно установленного испытательного входного сигнала, подаваемого на вход объекта испытаний, а измерение результата испытаний производят в точке фиксирования сигнала-отклика системы или конструкции. Технический результат заключается в определении максимально возможной потенциальной реакции объекта испытаний на нагрузку, отвечающую предельным возможностям объекта в реальных условиях эксплуатации, с помощью дополнительно измеряемой фазочастотной характеристики объекта, и расчёте величины испытательного сигнала, обеспечивающей максимально возможную реакцию объекта на этот испытательный сигнал. 6 ил.
ЛАТЕРАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР НА СТРУКТУРАХ "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2767597
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании радиационно-стойких микросхем радиочастотного диапазона длин волн. Способ изготовления латерального биполярного транзистора на структурах «кремний на изоляторе» согласно изобретению включает формирование размещенных в эпитаксиальном слое кремния областей эмиттера, базы и коллектора, ограниченных по краям боковой диэлектрической изоляцией и двуокиси кремния, с электрической разводкой по металлу с подслоем силицида титана и пассивирующим слоем диэлектрика, при этом легирование области активной базы n-р-n биполярного транзистора выполняют двойной имплантацией ионов бора и BF2+, легирование области n+ коллектора двойной имплантацией ионов фосфора, областей n+ эмиттера и коллектора двойной имплантацией ионов фосфора с большей дозой легирования, легирование области пассивной базы имплантацией ионов бора, через буферные слои двуокиси кремния, с последующим быстрым термическим отжигом радиационных дефектов, при режиме имплантации ионов бора, BF2+ и фосфора выбирают исходя из требования получения после термической активации примеси близкое к равномерному распределение примеси на всю глубину эпитаксиального слоя до границы раздела с «захороненным» диэлектриком в областях эмиттера, базы и коллектора, при этом p-n-р латеральные биполярные транзисторы изготавливают по аналогичной технологии со сменой типа примеси для областей эмиттера, базы и коллектора. Изобретение обеспечивает повышение коэффициента передачи тока базы и достижение максимальных уровней стойкости к ионизирующему излучению биполярного транзистора. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 табл., 2 ил.
Изобретение относится к применению люминесцентных комплексных соединений редкоземельных металлов в качестве радиационно-стойких люминесцентных материалов. Описываются комплексные соединения редкоземельных металлов: La, Се, Nd, Sm, Eu, Tb, Yb с органическими лигандами, такими как бензоксазолил-фенол (а), бензотиазолил-фенол (b), бензоксазолил-нафтол (с), бензотиазолил-нафтол (d), пентафторфенол (е), 1-трифторметил-3-тионил-1,3-дикетон (f) и меркаптобензотиазол (g), функционирующие в условиях воздействия импульсного и стационарного ионизирующего гамма-нейтронного излучения. Полная поглощенная доза радиации указанных соединений варьируется в диапазоне 2.6⋅4Ус-0.6⋅5Ус при флюенсе нейтронов в диапазоне 4Ус-2.2⋅5Ус. Полученный на основе указанных соединений люминесцентный материал для оптоэлектронных изделий обладает эффективной люминесценцией в инфракрасной и видимой области спектра до и после воздействия высокой интенсивности гамма-нейтронного излучения спектра деления. 3 ил.
Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц различных энергий космического пространства (КП). В способе оценки стойкости элементов цифровой электроники к эффектам сбоев от воздействия единичных частиц КП определяется минимальное значение потока частиц, соответствующее отличному от нулевого значения сечению сбоев в области малых значений линейной передачи энергии (LET). Получают экспериментальную зависимость величины сечения сбоев от величины LET, аппроксимируют эту зависимость теоретическим многопараметрическим законом распределения, экстрагируют параметры этого распределения, определяют пороговое значение LET единичных частиц, соответствующее минимальному значению сечения сбоя. В данном способе используются семь вариантов математических моделей. Из полученного набора данных выбирают минимальное значение потока частиц. Техническим результатом является повышение точности характеристик зависимости поперечного сечения эффектов единичных сбоев (SEE) от LET, а также определение минимального значения флюенса частиц, достаточного для генерации эффектов SEE. 12 ил., 9 табл.
Группа изобретений относится к способам имитационного тестирования изделий микро- и наноэлектроники. На приборную структуру воздействуют эквивалентным облучением ионами с флюенсом от 109 см-2 до 1015 см-2 и энергией в интервале 1-500 кэВ, уточняемыми в зависимости от состава и морфологии структуры, при этом уточняемые величины флюенса и энергии ионов, обеспечивающие эквивалентность, определяют расчетом, путем компьютерного моделирования концентрации и распределения смещенных атомов при облучении ионами в чувствительных областях приборной структуры и сравнения с результатами такого же компьютерного моделирования при облучении быстрыми нейтронами, причем для установления правильности расчета эквивалентного флюенса выбирают флюенс ионного облучения, при котором изменение критериальных параметров превышает порог чувствительности средства контроля критериальных параметров, определяют соответствующий эквивалентный флюенс облучения быстрыми нейтронами, проводят разовое натурное испытание облучением приборной структуры быстрыми нейтронами при эквивалентном флюенсе, сравнивают полученное отклонение критериальных параметров с отклонением при выбранном флюенсе ионного облучения и судят по результату сравнения о правильности расчета эквивалентного флюенса. Технический результат - повышение достоверности результатов испытаний, сокращение времени испытания, использование доступного для исследователей оборудования. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 13 ил., 2 табл.
