Патенты автора Кутуев Руслан Азаевич (RU)
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов со слоем карбида кремния с пониженными токами утечки. В способе изготовления полупроводникового прибора на пластинах кремния после формирования областей стока/истока и осаждения слоя карбида кремния и сегнетоэлектрического материала структуру подвергают облучению электронами с энергией 6 МэВ, дозой 2⋅1018-3⋅1018 см-2, с последующей термообработкой в атмосфере водорода при температуре 970°С в течение 30 мин. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек, улучшение параметров структур, повышение качества и выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного оксида полевого транзистора с пониженными токами утечки. Сущность: на пластинах кремния n-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом⋅см выращивался слой термического слоя оксида 22 нм окислением в сухом кислороде при 1000°С. Далее проводили процесс азотирования затворного оксида в атмосфере аммиака NH3 в течение 15 минут при 1100°С и его оксидирование в атмосфере сухого кислорода О2 в течение 30 минут при 1100°С, затем проводили термообработку при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона. Области полевого транзистора и контакты к этим областям формировали по стандартной технологии. Технический результат заключается в снижении токов утечки, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора. Согласно изобретению способ изготовления полупроводникового прибора реализуется следующим образом: на подложках кремния р-типа проводимости формируют инверсный карман имплантацией ионов фосфора с энергией 150 кэВ, дозой 2,0*1013 см-2, с разгонкой в окислительной среде в течение 15 мин при температуре 1150°С и образованием слоя диоксида кремния, затем в инертной среде - 45 мин и имплантацией бора через слой диоксида кремния с энергией 150 кэВ, дозой 1,5*1013 см-2, с последующей разгонкой при температуре 1150°С в инертной среде в течении 90 мин. Затем формируют активные области n-канального полевого транзистора и электроды к ним по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение токов утечеки и предотвращение «тиристорного эффекта», а также повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления преобразователя солнечной энергии. Способ изготовления полупроводникового прибора со структурой с р, i, n слоями, включающий процессы легирования, при этом формирование i-слоя в p-i-n структуре осуществляют в три этапа: первый этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 0,3 нм/с, при ВЧ мощности 8 Вт, со скоростью потока SiH4 20 см3/с и давлении 27 Па; второй этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 0,6 нм/с, при ВЧ мощности 15 Вт, со скоростью потока SiH4 50 см3/с и давлении 45 Па, третий этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 1,0 нм/с, при ВЧ мощности 28 Вт, со скоростью потока SiH4 80 см3/с и давлении 65 Па, с последующим легированием i-слоя бором до 0,05×10-4% при соотношении (B2H6/SiH4) 10-4% в газовой смеси. Изобретение обеспечивает повышение КПД, технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Технология способа состоит в следующем: гидрогенизированный аморфный кремний формировали обработкой кристаллического кремния потоком ионов кремния дозой 1*1016 см-2 с энергией 250 кэВ при температуре 40°С. Водород вводили имплантацией после аморфизации с энергией 20 кэВ и дозой 5*1015 см-2. Предложенный способ изготовления тонкопленочного транзистора позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. Также способ обеспечивает снижение токов утечек, улучшение параметров структур, повышение технологичности и качества. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки. Изобретение обеспечивает снижение значения токов утечек, повышение технологичности и качества, улучшение параметров приборов и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на пластинах кремния р-типа проводимости ориентации (100) формируют активные области прибора и разводку межсоединений для данного прибора по стандартной технологии. После чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку арсенид силикатного стекла. Пленку арсенид силикатного стекла формируют толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая в реактор 1% SiH4 в потоке аргона 380 см3/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см3/мин и кислород 80-90 см3/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течение 50 с. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью. Изобретение обеспечивает снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора подзатворный оксид формируют при температуре 1060°С путем введения в окислительную среду трихлорэтилена по следующей схеме: сначала проводят окисление при потоке кислорода (сухой) 100 см3/мин в течение 5 мин, затем окисление при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин и введения в окислительную среду трихлорэтилена при скорости потока 40-50 см3/мин в течение 60 мин, с последующим окислением при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин в течение 15 мин и термообработкой в азоте при температуре 625°С в течение 15 мин. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек. Изобретение обеспечивает снижение значений токов утечек, улучшение параметров структур, повышение технологичности, качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на кремниевых пластинах р-типа проводимости с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентацией (111), после создания тонкого затворного оксида по стандартной технологии поверх него над канальной областью формируют слой окиси алюминия толщиной 50-80 нм из паровой фазы в результате реакции взаимодействия AlCl3+CO2+Н2 на поверхности кремния покрытого слоем оксида кремния. Пленки окиси алюминия осаждались при температуре 850°С со скоростью 12 нм/мин с последующим проведением термообработки в атмосфере водорода при температуре 500°С в течение 5 часов. Затем были изготовлены полупроводниковые приборы по стандартной технологии.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика с пониженной плотностью дефектов. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Технология способа состоит в следующем: на пластине кремния р-типа проводимости с ориентацией (100) формируют пленку тантала толщиной 28 нм со скоростью осаждения 30 нм/мин, на подложку, нагретую до 70°С, в вакууме при давлении 10-6-10-7 мм рт.ст. Затем проводят окисление в кислороде при температуре 530°С в течение 15 мин и формируют окисел тантала Та2O5 толщиной 60 нм, с последующим термическим отжигом при температуре 700°С в инертной среде в течение 5 мин. Улучшение параметров полупроводниковой структуры связано с тем, что окисел тантала Та2О5 содержит электронные ловушки. Все это улучшает структуру, уменьшает число ловушек для носителей заряда вблизи границы раздела. Активные области полупроводникового прибора формировались стандартным способом. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярных транзисторов с высоким коэффициентом усиления. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости наращивают эпитаксиальный слой n-типа проводимости. Затем в ней формируют базу внедрением ионов бора через слой окисла толщиной 100 нм с энергией 50-100 кэВ, дозой 5*1012-2*1014 см-2, с последующей термообработкой при температуре 900°С в течение 30 мин. Затем стандартным способом наносят слой пиролитического окисла, в котором вытравливают эмиттерные окна, и слой нелегированного поликристаллического кремния толщиной 300 нм. Для формирования эмиттерной области в слой нелегированного поликристаллического кремния внедряют ионы мышьяка с энергией 100 кэВ, дозой 1*1015-6*1016 см-2 и проводят термообработку при температуре 900-1000°С в течение 1-2 минут. Технический результат: повышение значения коэффициента усиления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным сопротивлением затвора. Технический результат: снижение сопротивления затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования подзатворного диэлектрика поверх этого слоя осаждают слой окиси олова SnO2 разложением SnCl4 в присутствии кислорода, с использованием газа носителя - гелия, при расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин, при температуре подложки 400-450°С и скорости осаждения окиси олова 20 нм/мин, толщиной 70 нм, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 25 минут. Затем формируют n-канальные полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии.
Способ изготовления легированных областей // 2654984
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления легированных областей с пониженной дефектностью. В способе изготовления легированных областей в исходные пластины фосфида индия для формирования легированной n-области проводят внедрение ионов кремния с энергией 400 кэВ, дозой 1*1014 см-2 при температуре 200°C, с последующим отжигом при температуре 750°C в потоке водорода в течение 5-15 минут. Технический результат способа - снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением. Технология способа изготовления полупроводникового прибора состоит в следующем: для формирования контакта в исходную подложку арсенида галлия n-типа проводимости с ориентацией (100) проводят ионное внедрение теллура с энергией 50 кэВ, дозой 1*1016 см-2, с последующим лазерным отжигом при длительности импульса 125 нс с плотностью мощности лазерного излучения 200 мВт/см2. Затем напыляют пленку титана магнетронным напылением толщиной 100 нм, со скоростью нанесения 5 нм/с и пленку платины толщиной 150 нм, со скоростью нанесения 10 нм/с, при давлении 9*10-5 Па, температуре подложки 60°C, в атмосфере аргона, с последующим отжигом при температуре 800°C в атмосфере водорода, в течение 5 мин. Затем формируют электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Изобретение обеспечивает снижение значения контактного сопротивления, улучшение технологичности и параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения кремниевых пленок на сапфире с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры проводят отжиг подложки в атмосфере водорода в течение 2 часов при температуре 1250°C с последующим наращиванием пленок кремния пиролизом силана в атмосфере водорода при температуре 1000-1030°C в два этапа: сначала выращивают n+-слой кремния, легированный из PH3, с концентрацией примеси 1020 см-3, со скоростью роста 5 мкм/мин, затем наращивают n-слой кремния, легированный AsH3, с концентрацией примеси 4*1015 см-3, со скоростью роста 2,3 мкм/мин, с последующим термическим отжигом при температуре 600°C в течение 15 минут в атмосфере водорода. Затем формируют n-канальные полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Предложенный способ изготовления полупроводниковой структуры позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. 1 табл.
Способ выработки тепловой энергии // 2638646
Изобретение относится к теплотехнике и может быть использовано в работе тепловых электростанций. В заявленном способе в емкости располагают анод и катод при узком канале плазмы в пределах 2,5-3 см, емкость заполняют дистиллированной водой, в которую добавляют соль хлорида натрия в пределах 3-3,5% и 0,5-1% соли хлорида лития, через которую пропускается переменный ток. Вода смешивается с мелкодисперсной солью хлорида натрия и солью хлорида лития. При этом предусмотрено применение не постоянного, а переменного тока. Содержание соли в воде (3,5-4,5%) примерно соответствует составу соли в воде мирового океана с удельной теплоемкостью С 3,9 кДж/кг⋅град. Техническим результатом является повышение мощности за счет узкого канала плазмы и возможности получения до семи импульсов плазмы в секунду, а также повышение долговечности алюминиевых электродов. 1 ил., 1 пр.
