Патенты автора ФАМ Дуи Ву (DE)
Настоящее изобретение относится к композиции для покрытия, получаемой из по меньшей мере одного иттрийсодержащего предшественника, выбранного из группы, включающей оксоалкоксиды иттрия, растворителя A и растворителя B, который отличается от растворителя A, при этом соотношение давления пара растворителя A при 20°C к давлению пара растворителя B при 20°C составляет . Изобретение обеспечивает получение стабилизирующих покрытий. 3 н. и 10 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к тонкопленочному транзистору (TFT), содержащему подложку (100) со слоем (101) электрода затвора, наложенным и структурированным на ней, и изолирующим слоем (102) затвора, наложенным на слой электрода затвора и подложку. Транзистор дополнительно содержит (i) несущий инжекционный слой (103), расположенный выше изолирующего слоя (102) затвора, (ii) слой (104) электрода истока/стока (И/С), наложенный на несущий инжекционный слой, и (iii) полупроводниковый слой (106), который непосредственно контактирует с изолирующим слоем затвора, несущим инжекционным слоем и слоем электрода истока/стока. Предложены способ производства таких транзисторов, устройства, содержащие такие TFT, и применение таких TFT. Изобретение обеспечивает получение полупроводникового слоистого материала, который обладает улучшенными проводящими свойствами. 4 н. и 24 з.п. ф-лы, 12 ил.
Изобретение относится к соединению алкоксида индия, которое получено путем реакции тригалогенида индия InX3, где X=F, Cl, Br, I, со вторичным амином формулы R'2NH, где R'=С1С10-алкил, в молярном соотношении от 8:1 до 20:1 по отношению к тригалогениду индия, в присутствии спирта общей формулы ROH, где R=С1С10-алкил. Также предложены способ получения алкоксида индия и его применение. Соединение алкоксида индия применяют для получения содержащих оксид индия покрытий, имеющих отличные электрические свойства. 5 н. и 7 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 пр.
Настоящее изобретение касается аммиачных композиций, включающих в себя по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение и по меньшей мере два соединения элементов 3-й главной подгруппы. Указанная композиция может быть использована для изготовления электронных компонентов и для получения слоя, наносимого на подложку с последующей термической конверсией. Технический результат: получение слоев с необходимыми электрическими свойствами: высокой подвижностью электронов, благоприятным гистерезисом и отпирающим напряжением. 4 н. и 10 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 пр.
