Патенты автора Груздов Вадим Владимирович (RU)

Изобретение относится к бытовой и медицинской технике, в частности к рециркуляторам для обеззараживания воздуха ультрафиолетовым облучением. Рециркулятор для обеззараживания воздуха ультрафиолетовым излучением с принудительной конвекцией воздушного потока включает не менее двух исполнительных органов, располагаемых внутри замкнутого объема, через который проходит воздушный поток, формируемый вентиляторами, состоящих из набора полупроводниковых диодов ультрафиолетового излучения, узла питания, узла термостабилизации исполнительного органа и блока управления устройства. При этом исполнительные органы выполнены в виде плоских диэлектрических пластин, на которых располагаются ультрафиолетовые диоды с двухсторонним расположением излучающих поверхностей относительно каждой диэлектрической пластины, причем расстояние между исполнительными органами не может превышать шаг расположения диодов на диэлектрической пластине, а максимальное количество диодов, располагаемых на одной диэлектрической пластине, равно n=L/(a+b), где L - вертикальное сечение воздушного потока в корпусе рециркулятора, а - зазор между ультрафиолетовыми диодами, равный шагу расположения диодов, b - ширина ультрафиолетового диода. Заявленное изобретение обеспечивает повышение надежности, исключение возможности распыления ядовитых паров ртути и повышение плотности мощности УФ-излучения, воздействующей на микроорганизмы в потоке воздуха. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении мощных гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой. Техническим результатом изобретения является обеспечение герметизации корпуса шовно-роликовой сваркой, повышение температуры монтажа активных и пассивных компонентов интегральной схемы припоями до 450°С и снижение неплоскостности опорной поверхности теплоотводящего основания корпуса. Указанный технический результат обеспечивается тем, что в корпусе мощной гибридной СВЧ интегральной схемы рамка выполнена из отожженного никеля, а теплоотводящее основание выполнено из псевдосплава молибден - медь с выступом, предназначенным для монтажа пассивных и активных элементов ГИС и имеющим размеры, соответствующие внутренним размерам рамки, причем разница в размерах выступа и соответствующих внутренних размеров рамки не превышает оптимальной толщины припоя. 5 ил., 9 табл.

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, коммутирующее устройство включает подложку из сапфира, на которой последовательно размещены: буферный слой из AlN, буферный слой из GaN, слой из нелегированного GaN i-типа проводимости, сверхрешетка из AlXGa1-XN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из AlXGa1-XN, спейсер из твердого раствора AlXGa1-XN, сглаживающий слой из GaN, канал из твердого раствора InXGa1-XN, и в интерфейсе InXGa1-XN/AlGaN гетероструктуры образован двумерный электронный газ (ДЭГ) высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора. Поверх твердого раствора InXGa1-XN размещен химически устойчивый сглаживающий слой из GaN, поверх которого нанесен слой диэлектрика из двуокиси гафния. Поверх диэлектрика размещены металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора. При этом емкостный элемент устройства выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек (DX), а канал выполнен упруго-напряженным псевдоморфным с концентрацией InGa 15-25%. Изобретение обеспечивает повышение надежности устройства, эффективности подавления токового коллапса, повышение скорости переключения и уровня выходной мощности, а также ослабление процесса деградации в гетероструктуре. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников. Технический результат: повышение надежности устройства и плотности носителей, эффективность подавления токового коллапса, повышение скорости переключения и уровня выходной мощности, ослабление процесса деградации в гетероструктуре. Технический результат достигается тем, что ограничитель мощности содержит электроды, емкостные элементы. Ограничитель мощности является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостной элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, ограничитель мощности включает подложку из изолирующего карбида кремния, на которой последовательно размещены: буферный слой из GaN, сглаживающий буферный слой из GaN, слой из нелегированного GaN i-типа проводимости, сверхрешетка из AlXGa1-XN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из AlXGa1-XN, спейсер из твердого раствора AlXGa1-XN, сглаживающий слой из GaN, канал из твердого раствора InXGa1-XN, и в интерфейсе InXGa1-XN/AlGaN гетероструктуры образован двумерный электронный газ (ДЭГ) высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора. Поверх твердого раствора InXGa1-XN размещен химически устойчивый сглаживающий слой из GaN, поверх которого нанесен слой диэлектрика из двуокиси гафния. Поверх диэлектрика размещены металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора. При этом емкостной элемент устройства выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек (DX), а канал выполнен упруго-напряженным псевдоморфным с концентрацией InGa 15-25%. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

 


Наверх