Патенты автора Ромашко Андрей Алексеевич (RU)
Изобретение относится к оптоэлектронным приборам, в частности к нанотехнологии мультиспектральных фотодетекторов (МСФД), а также пленочных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) на основе гетерострур с p-n-переходом, содержащих массив наностержней оксида цинка n-типа проводимости (n-(MHC-ZnO)) с экстратонкой полупроводниковой оболочкой (ЭТПО) p-типа проводимости. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности работы заявляемой гетероструктуры в составе МСФД и ФЭП при ее облучении ближним ультрафиолетовым излучением (БУФИ) и светом из видимой области спектра, упрощение технологии изготовления такой гетероструктуры, снижение ее энергозатратности и повышение уровня экологичности, исключение необходимости использования дорогостоящих металлов: платины, золота, серебра, палладия, индия, а также графена в элементах конструкции МСФД и ФЭП на основе рассматриваемой гетероструктуры. Данная задача решается за счет последовательного катодного импульсного электрохимического осаждения из водных электролитов при температурах не выше 65°С и длительности не более 60 минут сначала на высокопроводящую прозрачную для БУФИ подложку n-(MHC-ZnO) со срастающимися у оснований HC-ZnO, имеющих среднюю длину около 0,65 мкм и средний диаметр несросшихся участков вблизи верхних концов около 0,30 мкм, а затем сплошной ЭТПО из p-SnS толщиной 100 нм; дальнейшего осаждения методом последовательной адсорбции и реакции ионов слоя p-CuSCN толщиной 600 нм; последующей термовакуумной металлизации тонкопленочной медью через теневую медную маску слоя p-CuSCN и высокопроводящей поверхности подложки за пределами n-(MHC-ZnO), формирования высокопроводящих эпоксидных контактных слоев поверх металлизированных областей, приклейки эпоксидным высокопроводящим клеем гибких медных проволочных выводов к контактным слоям и отжига этой конструкции на воздухе при 250°С длительностью 300 секунд. Реализация такого способа изготовления заявляемой гетероструктуры как тестового ФЭП обеспечивает надежную воспроизводимость ее работы в режиме облучения AM1,5G при 25°С с рекордным для ФЭП подобного типа КПД η=6,7%. 9 з.п. ф-лы, 12 ил.
Изобретение относится к диагностике трубопроводов для оценки их остаточного ресурса. Способ определения остаточного ресурса трубопровода может быть применен для определения остаточного ресурса трубопровода в напорных трубопроводах круглого сечения. Исходными данными для определения остаточного ресурса являются относительные деформации, получаемые с экстензометров, и величины давления внутри трубопровода, получаемые с датчиков давления. Способ определения остаточного ресурса трубопровода заключается в том, что в трубопроводе выявляют зону с потенциально пониженным ресурсом, в этой зоне определяют место, устанавливаются экстензометры и датчик давления, на основе показаний которых непрерывно производится расчет остаточного ресурса.
Изобретение относится к оптоэлектронным приборам, в частности к нанотехнологиям солнечно-слепых фотодетекторов ближнего ультрафиолетового излучения (БУФИ) на основе 1D наноструктурированного оксида цинка. Изобретение обеспечивает повышение спектральной чувствительности солнечно-слепого фотодетектора к БУФИ и снижение его времени отсечки τотс при смещающем напряжении U≤1 В, упрощение технологии изготовления такого фотодетектора, снижение ее энергозатратности и повышение уровня экологичности, исключение необходимости использования платины, золота, палладия, индия, графена в элементах конструкции указанного прибора. Данная задача решается за счет катодного импульсного электрохимического осаждения из водного нитратного электролита при 55-65°С в течение 60 минут на высокопроводящую прозрачную для БУФИ неподвижную подложку массива срастающихся у оснований наностержней ZnO со средней длиной 0.65 мкм и средним диаметром несросшихся участков вблизи верхних концов 0.30 мкм, последующей термовакуумной металлизации под углом к вертикали тонкопленочным алюминием через теневую алюминиевую маску верхних концов наностержней ZnO и высокопроводящей поверхности подложки за пределами их массива, формирования высокопроводящих эпоксидных контактных слоев поверх металлизированных областей, приклейки эпоксидным высокопроводящим клеем гибких медных проволочных выводов к контактным слоям и отжига этой конструкции на воздухе при 250°С длительностью 300 с. Данный способ изготовления фотодетектора прост в реализации и позволяет получить фотодетектор со спектральной чувствительностью около 532 при U=1 В в диапазоне длин волн 365-370 нм и с временем отсечки 42 секунды, а также практически полным отсутствием фоточувствительности при λ>380 нм. 6 з.п. ф-лы, 9 ил.
