Патенты автора Гавриленко Виктор Анатольевич (RU)

Изобретение относится к области фотоэлектронных приборов и может быть использовано для изготовления микроканальных пластин, используемых в фотоэлектронных приборах для умножения электронов. Технический результат – обеспечение возможности снизить вызванную отраженным светом фотоэмиссию фотокатода. Микроканальная пластина содержит выполненную из стекла и имеющую входную и выходную поверхности матрицу микроканалов, а также слой входного электрода и слой выходного электрода, которые являются электропроводными и покрывают, соответственно, входную и выходную поверхности матрицы микроканалов. Микроканальная пластина также содержит прозрачный слой, который покрывает слой входного электрода, причем прозрачный слой сформирован толщиной от 500 до 700 ангстрем из оксида магния, или оксида кремния, или оксида алюминия. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области фотоэлектронных приборов и может быть использовано при изготовлении микроканальных пластин, используемых в фотоэлектронных умножителях, электронно-оптических преобразователях и различных типов детекторах излучения. Технический результат – расширяет арсенал средств аналогичного назначения, повышает технологичность процесса изготовления микроканальной пластины, расширяет область её применения и уменьшает ионно-обратную связь при работе микроканальной пластины в фотоэлектронном приборе, с одновременным сохранением качества выходного сигнала и уровня усиления микроканальной пластины при её работе в фотоэлектронном приборе. Микроканальная пластина содержит выполненную из стекла матрицу микроканалов, входной электрод, выходной электрод и ионно-барьерную пленку, которая сформирована из углерода поверх входного электрода таким образом, что закрывает входы в микроканалы. При этом стенки микроканалов матрицы обладают электропроводностью и способностью к вторичной электронной эмиссии, а ионно-барьерная пленка сформирована из частиц, распыленных из массы графитсодержащего материала электронно-лучевым методом. 3 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к области фотоэлектронных приборов и может быть использовано для изготовления полупрозрачных фотокатодов для быстродействующих фотоэлектронных умножителей, электронно-оптических преобразователей с функцией запирания фотокатода, работающих в импульсном режиме в видимой, и/или в ближней ультрафиолетовой, и/или в ближней инфракрасной областях спектра оптического излучения. Полупрозрачный фотокатод содержит прозрачную подложку и последовательно расположенные на ней прозрачный проводящий и фотоэмиссионный слои. Фотоэмиссионный слой содержит сурьму и, по меньшей мере, один щелочной металл. Прозрачный проводящий слой выполнен в условиях вакуума посредством осаждения на прозрачную подложку слоя частиц, распыленных из массы графитсодержащего материала электронно-лучевым методом, и последующего термического отжига осажденного на прозрачной подложке слоя. Технический результат - повышение равномерности чувствительности полупрозрачного фотокатода на различных участках его рабочей площади, упрощение изготовления полупрозрачного фотокатода. 4 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к области фотоэлектронных приборов и может быть использовано для изготовления полупрозрачных фотокатодов для быстродействующих фотоэлектронных умножителей. Полупрозрачный фотокатод содержит прозрачную подложку и последовательно расположенные на ней прозрачный проводящий и фотоэмиссионный слои, а также прозрачную пассивирующую плёнку, выполненную между прозрачным проводящим и фотоэмиссионным слоями для предотвращения их взаимодействия. Прозрачный проводящий слой содержит оксид индия и олово, а фотоэмиссионный слой содержит сурьму и, по меньшей мере, один щелочной металл. Изобретение позволяет изменять чувствительность полупрозрачного фотокатода в определенном интервале длин волн и изменять максимум спектральной чувствительности фотокатода в зависимости от области применения фотоэлектронного прибора. 5 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области опто- и наноэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах, а также для создания микро- и нанооптоэлектронных и нанооптических систем, в квантовых и оптических компьютерах и в других областях. Оптоэлектронное устройство содержит излучатель и фотоприемник, расположенные в одной плоскости на некотором расстоянии друг от друга, омические контакты, при этом излучатель и фотоприемник выполнены из последовательно выращенных гетероэпитаксиальных слоев диэлектрика и нанокристаллического кремния на кремниевой подложке, а каждый слой кремния состоит из p- и n-типа областей с резкими границами раздела. Оптоэлектронное устройство согласно изобретению обладает монолитной и малоразмерной конструкцией, более надежное и менее дорогостоящее. 3 ил.

 


Наверх