Патенты автора Ращинский Владимир Петрович (RU)
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых структур и может быть использовано при производстве кремниевых пластин для изготовления силовых приборов в микроэлектронике. Сущность изобретения заключается в том, что в устройство для нанесения сверхтолстых слоев поликристаллического кремния, включающее камеру 1, в которой расположен нагреватель 2, на первой поверхности 3 нагревателя 2 установлена пластина-источник кремния 4, при этом в камере 1 расположен держатель подложки 5 и она включает модуль подвода газовой смеси 18 и модуль вывода газовой смеси 19, введен первый экран 6 в виде плоского элемента, сопряженный с держателем подложки 5, в него также введен второй экран 7, выполненный в виде кольца и сопряженный первым торцом 8 с первым экраном 6, а вторым торцом 9 - с нагревателем 2 и пластиной-источником кремния 4, внутри второго экрана 7 расположен держатель подложки 5, причем камера 1 включает кварцевый реактор 13, а держатель подложки 5, первый экран 6 и второй экран 7 представляют собой загрузочную ячейку 10, сопряженную с первой поверхностью 3 нагревателя 2. Технический результат изобретения заключается в достижении управляемости формирования полупроводниковых структур и, как следствие, повышении скорости роста. 6 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к вакуумно-плазменному осаждению покрытия. Устройство содержит технологическую камеру, в которой установлен подложкодержатель с подложкой, имеющий продольную ось О-О1, разрядную камеру с геликонным источником плазмы, закрепленным на технологической камере симметрично продольной оси О-О1, газовую систему, соленоидальную антенну, расположенную с внешней стороны разрядной камеры, и магнитную систему, расположенную с внешней стороны технологической камеры симметрично продольной оси О-О1 и включающую первую соленоидальную магнитную катушку и вторую соленоидальную магнитную катушку, выполненные с возможностью перемещения вдоль продольной оси О-О1. Подложкодержатель выполнен с возможностью вращения вокруг продольной оси О-О1 и перемещения вдоль нее. Устройство снабжено по меньшей мере одним магнетроном, направленным в сторону подложкодержателя, выполненным с возможностью ионной стимуляции процесса осаждения покрытия и размещенным с возможностью перемещения вдоль оси О-О2, расположенной под углом 30-60° к плоскости подложки. Обеспечивается увеличение скорости и равномерности осаждения покрытия на подложке, снижение загрязнения покрытия продуктами разрушения стенок технологической камеры. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к устройству для формирования многокомпонентных и многослойных покрытий и может быть использовано в автомобилестроении, в медицине при создании защитных и биосовместимых слоев дентальных и ортопедических имплантатов, для изготовления тонкопленочных интегральных аккумуляторов и в химических реакторах. Вакуумная камера (1) включает плазменно-дуговой источник (2) с магнитной системой, катодом (3) и анодом (4) с продольной осью 01-02, источник газовой плазмы (8) с первой электромагнитной катушкой ( 9), со второй электромагнитной катушкой источника (10) и с системой напуска и контроля технологических газов (11). Держатель (20) подложки (21) размещен симметрично оси O3-O4 источника газовой плазмы (8) и включает средства откачки (30). Магнетронный источник (36) имеет продольную ось 05-06. Магнитная система плазменно-дугового источника (2) включает электромагнитную катушку плазменно-дугового источника (5). Источник газовой плазмы (8) выполнен в виде кварцевого цилиндра (12) с размещенной симметрично оси 03-04 антенной (13). Технический результат изобретения заключается в расширении номенклатуры наносимых материалов класса диэлектриков и композиционных материалов, состоящих из диэлектриков, проводников, а также полупроводников, и в обеспечении возможности нанесения покрытий послойно с высокой скоростью, равномерностью и адгезией. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к плазменно- дуговому устройству для формирования покрытий и может быть эффективно использовано при формировании защитных и биосовместимых слоев дентальных и ортопедических имплантатов, при изготовлении технологических слоев электролитических ячеек тонкопленочных интегральных аккумуляторов и в химических реакторах, которые работают в агрессивных средах и в условиях высоких температур. В вакуумной камере (1) с вертикально расположенной продольной осью O-O1 осесимметрично размещены катод (3), охватывающий его анод (4) и экранирующий электрод (5) катодного узла (2). Устройство также содержит магнитную систему, держатель (21) подложки (22) и источник питания (25. Катод (3) выполнен из электропроводящего материала, а экранирующий электрод (5) расположен между катодом (3) и анодом (4). Магнитная система состоит из последовательно размещенных первой электромагнитной катушки (10) с торцевой поверхностью (11), расположенной в плоскости, перпендикулярной продольной оси О-O1 камеры(1), и второй электромагнитной катушки (15). Источник питания (25) подключен к аноду (4) и катоду (3) с обеспечением возникновения между ними электрической дуги. Катодный узел (2) снабжен первым приводным механизмом (30) с первым силовым блоком (42) и вторым приводным механизмом (33). Катод (3) установлен в камере (1) с расположением его рабочей поверхности (35) в плоскости, перпендикулярной продольной оси O-O1 камеры и с возможностью перемещения вдоль продольной оси O-O1 камеры, посредством первого приводного механизма с обеспечением совмещения плоскости размещения рабочей поверхности (35) катода (3) с плоскостью размещения торцевой поверхности (11) первой электромагнитной катушки (10), и с возможностью вращения катода (3) вокруг продольной оси O-O1 камеры посредством второго приводного механизма (33). В результате любой степени выработки рабочей поверхности катода, изобретение позволяет сохранять условия оптимальности положения катода по отношению к магнитным полям, что делает процесс нанесения покрытий контролируемым, а характеристики покрытий стабильными. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.
