Патенты автора ДЖОЭЛ Нити (US)
Изобретение относятся к области изготовления электронного устройства и, в частности, к изготовлению устройств на основе материалов III-V групп. Структура интегральной микросхемы включает подложку, включающую монокристаллический кремний, изолирующий слой на подложке, где указанный изолирующий слой содержит кремний и кислород и где в изолирующем слое выполнена канавка, открывающая поверхность монокристаллического кремния подложки, первый буферный слой в канавке и на поверхности монокристаллического кремния подложки, где первый буферный слой содержит индий и фосфор, второй буферный слой в канавке и на первом буферном слое, где второй буферный слой содержит индий, галлий, мышьяк и сурьму, слой канала устройства на втором буферном слое, где слой канала устройства содержит индий, галлий и мышьяк, причем слой канала устройства имеет верх и боковые стенки. 16 ил.
Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят первый буферный слой на основе материала III-V групп на кремниевую подложку, на первый буферный слой наносят второй буферный слой на основе материала III-V групп, слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят на второй буферный слой на основе материала III-V групп. Изобретение обеспечивает интеграцию устройств на основе материалов III-V групп n-типа и p-типа на кремниевой подложке. 3 н. и 15 з.п. ф-лы, 16 ил.
