Патенты автора Седов Вадим Станиславович (RU)
Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору для осаждения алмазной пленки на подложку из твердого сплава, выполненному с возможностью регулирования температуры косвенного нагрева подложки. СВЧ плазменный реактор содержит герметичную осесимметричную камеру, центральная часть которой является СВЧ резонатором, и установленные в указанной камере подложкодержатель для размещения подложки или группы подложек из твердого сплава, представляющий собой радиальный волновод с СВЧ полем, и запредельное проводящее кольцо из тугоплавкого материала в виде волновода. Подложкодержатель установлен в указанной камере на охлаждаемой проводящей платформе. Упомянутое запредельное проводящее кольцо выполнено с возможностью размещения в его отверстии подложки или группы подложек из твердого сплава. Запредельное проводящее кольцо регулируемо по температуре по обратной связи с инфракрасным пирометром. Запредельное проводящее кольцо установлено на одном конце подвижного держателя из СВЧ прозрачного материала, а второй конец упомянутого держателя соединен с актюатором, взаимодействующим по сигналу от инфракрасного пирометра. Основание запредельного проводящего кольца обращено к подложкодержателю подложки. Подложка ориентирована перпендикулярно держателю запредельного проводящего кольца. Высота H перемещения упомянутого кольца аксиально СВЧ резонатору составляет 0,75h<H≤1,75h высоты h одной или группы упомянутых подложек, установленных в отверстие кольца. Обеспечивается управление и стабилизация температуры нагрева подложки, лежащей на базовой проводящей платформе реактора внутри запредельного проводящего кольца, стабилизация скорости роста алмазной пленки для получения однородной структуры однослойного или многослойного покрытия с точностью стабилизации температуры ±10 °С на 100 мкм смещения запредельного кольца. 7 ил., 1 табл., 1 пр.
Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору с объемно-резонаторной передачей энергии в область над подложкой, ограниченной формой плазменного образования в виде полуэллипса, создающей косвенный нагрев при осаждении покрытия на низкоаспектной подложке или одновременно на группе подложек. СВЧ плазменный реактор для получения однородной нанокристаллической алмазной пленки содержит герметичную осесимметричную камеру, центральная часть которой является СВЧ-резонатором и представляет собой радиальный волновод с СВЧ-полем, и установленный в ней охлаждаемый держатель подложки и отличается тем, что в СВЧ-резонаторе аксиально реактору установлена плазмообразующая кассета с наружным диаметром, пропорциональным длине волны СВЧ-поля, имеющая по меньшей мере одно внутреннее отверстие, причем основание упомянутой кассеты обращено к держателю подложки, а оси отверстий ориентированы перпендикулярно к ней, при этом высота Н кассеты составляет 1,75h ≤ Н > 0,75h, где h - высота подложки для размещения во внутреннем отверстии кассеты. Обеспечивается создание СВЧ плазменного реактора с высокой однородностью температурного поля на поверхности подложек для получения однородной нанокристаллической алмазной пленки. 3 ил., 1 табл., 1 пр.
