Патенты автора Низов Валерий Николаевич (RU)
Изобретение относится к области резистивного нагрева и может быть использовано при создании теплоизлучающего покрытия непосредственно на поверхности технических устройств со сложной формой поверхности. Технический результат - улучшение равномерности передачи тепла от нагревательного элемента на нагреваемую поверхность за счет получения равномерных толщин резистивного и изолирующего слоев между нагревающим резистором и нагреваемой поверхностью. Достигается тем, что нагревательный элемент в виде по меньшей мере одного гребенчатого электрода устанавливают непосредственно на нагреваемой поверхности обогреваемого изделия последовательным образованием на ней диэлектрической, резистивной, проводящей и защитной полимерных пленок с заданными толщинами и конфигурациями, создающих в совокупности пленочный нагревательный элемент. Селективное формирование каждого слоя на нагреваемой поверхности обогреваемого изделия производится нанесением через по меньшей мере одну струйную форсунку перемещаемой дозирующей головки устройства для бесконтактного нанесения дозированных точек полимерного материала наносимого слоя, которые сшиваются в сплошной слой при последующем отверждении нанесенного слоя, образуя полимерную пленку. Расстояние между соплом форсунки дозирующей головки и покрываемой поверхностью отслеживается датчиком зазора, а система перемещения дозирующей головки в каждой точке покрываемой поверхности устанавливает сопло форсунки по нормали к покрываемой поверхности. 1 з.п. ф-лы, 11 ил.
Способ изготовления микроэлектронного узла // 2651543
Изобретение относится к области изготовления электронной аппаратуры и может быть использовано для монтажа микроэлектронных компонентов в многокристальные модули. Технический результат - увеличение плотности размещения компонентов, обеспечивающее улучшение массо-габаритных характеристик сборочного узла. Достигается тем, что предварительно протестированные и запрограммированные бескорпусные кристаллы устанавливают лицевой стороной на технологическую подложку с нанесенным на нее тонким липким слоем термопластичного клея, совмещая контактные площадки бескорпусных кристаллов с реперными знаками, на технологическую подложку устанавливают технологическую рамку, совмещая окно рамки с реперными знаками на технологической подложке, герметизируют бескорпусные кристаллы, заполняют зазор между бескорпусными кристаллами и технологической рамкой фиксирующим клеем, шлифуют обратную сторону бескорпусных кристаллов и технологической рамки, приклеивают кристаллодержатель, после чего снимают технологическую подложку, нагревая ее до температуры плавления термопластичного клея, затем путем последовательного селективного формирования диэлектрических и проводящих слоев и защитного слоя на лицевой поверхности бескорпусных кристаллов создают многоуровневую коммутацию контактных площадок бескорпусных кристаллов и внешних контактных площадок изготавливаемого микроэлектронного узла, на которых в окнах финишного защитного слоя формируют выступающие выводы, и вырезают изготавливаемый микроэлектронный узел из кристаллодержателя. 24 ил.
Способ изготовления микроэлектронного узла // 2645151
Изобретение относится к технологии монтажа микроэлектронных компонентов в модули с встроенными в плату компонентами. Технический результат - упрощение процесса изготовления микроэлектронных узлов, увеличение плотности упаковки компонентов, улучшение массогабаритных характеристик сборочного узла. Достигается тем, что в окна подложки собираемого узла прецизионно устанавливают предварительно протестированные и запрограммированные бескорпусные кристаллы. Предварительно подложку собираемого узла и кристаллы устанавливают лицевой стороной на технологическую подложку с нанесенным на нее тонким липким слоем термопластичного клея, совмещая их реперными знаками, герметизируют подложку собираемого узла с установленными в ней кристаллами, после чего снимают технологическую подложку, нагревая ее до температуры плавления термопластичного клея. Далее путем последовательного селективного формирования диэлектрических и проводящих слоев на активной поверхности подложки собираемого узла и кристаллов создают многоуровневую коммутацию с последующей установкой чип-компонентов на соответствующие контактные площадки. 1 ил.
