Патенты автора Агудов Николай Викторович (RU)
Устройство для переключения мемристора // 2744246
Изобретение относится к технологии эксплуатации мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и обеспечивающей филаментарный механизм переключения мемристора, и может быть использовано для стабильного переключения такого мемристора за счет автоматической подстройки формы и длительности импульсов напряжения, переключающих мемристор в высокоомное или низкоомное состояние. Предлагается устройство для переключения мемристора, содержащее два источника постоянного напряжения, с противоположной друг к другу полярностью, два реостата, два резистивных делителя и два дифференциальных усилителя напряжения, образующие по одному две группы элементов для переключения мемристора в высокоомное или низкоомное состояние. Причем в каждой указанной группе реостат соединен своим входом с источником постоянного напряжения, своим выходом с первым электродом мемристора и управляющим входом с выходом дифференциального усилителя напряжения, а резистивный делитель соединен своими первым входом с источником постоянного напряжения и вторым входом с землей и своим выходом с инвертирующим входом дифференциального усилителя. При этом ко второму электроду мемристора подсоединен резистор, образующий с мемристором, выполняющим функцию второго резистивного плеча, дополнительный резистивный делитель, выход которого подключен к неинвертирующим входам обоих дифференциальных усилителей в указанных группах, входящие в состав обоих резистивных делителей в указанных группах резисторы с их подключением к соответствующим источникам постоянного напряжения имеют сопротивления, равные сопротивлениям мемристора в высокоомном или низкоомном состоянии, а оба реостата имеют настройку своих граничных величин сопротивления больше величины сопротивления мемристора в высокоомном состоянии и меньше величины сопротивления мемристора в низкоомном состоянии. Изобретение обеспечивает формирование устройства для автоматического переключения мемристора, характеризующееся стабильным его переводом (независящим от напряжения питания и предыстории работы мемристора) в высокоомное или низкоомное состояние. 2 ил.
Группа изобретений относится к технологии эксплуатации мемристора с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью и обеспечивающей филаментарный механизм переключения мемристора, и может быть использована для управления стабильной работой такого мемристора за счет автоматической подстройки длительности импульсов напряжения, переключающих мемристор в высокоомное или низкоомное состояние. Технический результат предлагаемой группы изобретений -разработка оптимального способа управления работой мемристора, заключающейся в стабильном переводе его в высокоомное или низкоомное состояние, и повышенного по технологичности обеспечения стабильной работы мемристора устройства для его переключения, характеризующегося сочетанием измерения текущей величины сопротивления мемристора и сравнения ее с задаваемыми аналоговыми величинами сопротивления мемристора в высокоомном или низкоомном состоянии, одновременной подачи импульса напряжения с постоянной амплитудой для переключения мемристора без зависимости от стабильности источника постоянного напряжения, а также от предыстории работы мемристора и упрощения схемотехнической реализации устройства для осуществления предлагаемого способа на основе снижения резистивной стохастичности мемристора при его переключениях. Для достижения указанного технического результата предлагается способ управления работой мемристора, включающий измерение текущей величины сопротивления мемристора, сравнение ее с задаваемыми величинами сопротивления мемристора в высокоомном или низкоомном состоянии и одновременная с указанными операциями подача на мемристор импульса напряжения с постоянной по величине амплитудой, достаточной для его переключения, полярностью, соответствующей направлению переключения, и длительностью, определяемой временем действия указанного импульса до наступления момента, по меньшей мере, равенства измеряемого текущего сопротивления мемристора с задаваемыми величинами сопротивления мемристора в высокоомном или низкоомном состоянии для обеспечения в этот момент переключения мемристора в одно из указанных состояний. Для регулирования импульсов напряжения в соответствии с изложенным выше способом, подаваемых на мемристор для его переключения, в автоматическом режиме согласно изобретению предлагается устройство для управления работой мемристора, содержащее два источника постоянного напряжения с противоположной друг к другу полярностью, два ключа, два резистивных делителя и два компаратора, образующие по одному две группы элементов для переключения мемристора в высокоомное или низкоомное состояние. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Экран с управляемой прозрачностью // 2645450
Изобретение относится к оптике, в частности к экранам (покрытиям) с управляемыми рассевающими свойствами, и может быть использовано для изготовления стекол, пленок и покрытий с управляемой прозрачностью, применяемых в производстве окон, демонстрационных экранов, очков и т.п. Экран с управляемой прозрачностью представляет собой слой прозрачной матрицы с диспергированными частицами, где материал матрицы и материал диспергированных частиц характеризуются различными оптическими свойствами. В качестве материала матрицы применен оптически анизотропный материал, имеющий два коэффициента преломления ne и n0, а в качестве материала диспергированных частиц применен прозрачный оптически изотропный материал, имеющий коэффициент преломления nb. При этом nb=n0, а оптическая ось анизотропного материала матрицы выбрана параллельно плоскости поверхности экрана. Технический результат - обеспечение управляемой прозрачности на основе комбинации изотропных и анизотропных оптических материалов без необходимости подачи электрического поля. 3 ил.
