Патенты автора Чижиков Сергей Владимирович (RU)
Изобретение относится к медицинской технике. Прибор для диагностики функционального состояния головного мозга, содержит N групп по k антенн различных диапазонов частот, расположенных на поверхности головы, k×N+k СВЧ - выключателей, k×N датчиков температуры, находящихся в тепловом контакте с антеннами, многоканальный измеритель температуры, k циркуляторов, k термостататов, k генераторов шума, k согласованных нагрузок, k радиометрических приемников, коммутатор, аналого-цифровой преобразователь, контроллер и компьютер. Одновременно прибор содержит электроды для снятия биопотенциалов, подключенные через узлы гальванической развязки к ходам усилителей биопотенциалов, выходы которых через мультиплексор подключены к входу дополнительного аналого-цифрового преобразователя, управляющий вход мультиплексора и выход дополнительного аналого-цифрового преобразователя подключены к контроллеру, а N групп по k антенн расположены на поверхности головы по системе размещения электродов для снятия биопотенциалов «10-20%». Изобретение позволяет обеспечить существенное повышение эффективности диагностики функционального состояния головного мозга, его патологий и функциональных расстройств. 1 ил.
Изобретение относится к области медицины, в частности к устройствам для лейкофильтрации. Устройство для лейкофильтрации компонентов крови содержит колесную базу с ручкой, первое поддерживающее средство в виде рамы с крючками, приспособленное для подъема или опускания контейнеров с компонентами крови, и второе поддерживающее средство в виде поддона для размещения приемных контейнеров, привод для подъема или опускания первого поддерживающего средства, аккумуляторную батарею, микроконтроллер, датчики веса, датчик напряжения, датчик тока, индикатор веса, индикатор разряда аккумуляторной батареи, индикатор окончания процесса лейкофильтрации, связанные с микроконтроллером. Привод выполнен виде реверсивного редукторного электродвигателя, связанного с ходовым винтом, приводящим в поступательное движение ходовую гайку и связанный с ней внутренний цилиндр с закрепленным на нем первым поддерживающим средством относительно внешнего цилиндра, внешний цилиндр и второе поддерживающее средство закреплены на колесной базе, ходовой винт зафиксирован в подшипниках, закрепленных соответственно на внешнем и внутреннем цилиндрах. На ручке колесной базы расположен переключатель режимов подъема и опускания первого поддерживающего средства, верхний и нижний концевые выключатели расположены соответственно в верхней и нижней частях внешнего цилиндра, датчик напряжения подключен к полюсам аккумуляторной батареи, датчик тока включен между первым полюсом аккумуляторной батареи и переключателем режимов подъема и опускания, верхний и нижний концевые выключатели связаны с микроконтроллером, а второе поддерживающее средство закреплено на датчиках веса, установленных на колесной базе. Устройство также содержит теплоизолированную камеру с дверью, блок термобатарей, связанный с микроконтроллером, а также первый и второй датчики температуры, связанные с микроконтроллером и расположенные соответственно в зонах поддерживающих устройств. Изобретение обеспечивает повышение производительности и качества заготавливаемых компонентов крови за счет соблюдения температурного режима процесса лейкофильтрации. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области радиотехники и электроники. В гетероструктурном полевом транзисторе на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики, включающем подложку из карбида кремния, канальный слой, буферный слой, барьерный слой на основе AlGaN, слой пассивации на основе нитрида кремния, электроды стока, затвора, истока, буферный слой выполнен на основе нитрида галлия, после процедуры снижения толщины подложки до 100 мкм нанесен слой с высокой теплопроводностью, модулированный по глубине подложки в районе расположения затвора. Глубина модулирования подложки в районе расположения затвора может составлять 50 мкм. Изобретение позволяет улучшить теплоотвод от подзатворной области и уменьшить температуру канала полевого транзистора на основе гетероструктур типа AlGaN/GaN, что приводит к улучшению температурной стабильности его вольт-амперной характеристики. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
