Патенты автора Комиссаров Александр Феликсович (RU)
Датчик деформации // 2658089
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензодатчикам, предназначенным для измерения деформации твердых тел, и может быть использовано для контроля состояния высокопрочных материалов и конструкций из них. Датчик деформации, содержащий корпус, основу, тензочувствительные элементы с контактами, упругий элемент, отличающийся тем, что упругий элемент выполнен в виде балки, работающей на изгиб, закрепленной на основании с двух сторон, при этом к центру балки присоединен жесткий рычаг, соединенный с тягой, которая в свою очередь соединена с несущим основанием посредством гибких шарниров, при этом тензочувствительные элементы сформированы на балке и соединены в мост Уитсона. Технический результат заключается в миниатюризации размеров датчика с сохранением высокой чувствительности датчика. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
Полупроводниковый резистор // 2655698
Изобретение относится к технике полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению термо- и тензорезисторов на основе тензочувствительных полупроводниковых материалов. Резистор включает сформированный на подложке изоляционный слой, поверх которого сформирован слой полупроводника, снабженный на концах контактами, выполненными из слоев металлов. Контакты выполнены четырехслойными. Первый слой расположен на части поверхности полупроводника и на части изоляционного слоя и выполнен из алюминия. Второй слой выполнен из интерметаллида Ni-Al. Третий слой контактных дорожек выполнен из никеля. Четвертый слой выполнен из интерметаллида Ni-Al. Указанная структура дополнительно покрыта внешним слоем защитного покрытия, выполненного из оксида кремния SiO. Использование изобретения позволяет обеспечить стабильность электрических параметров и повысить устойчивость к воздействию повышенных температур. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.
Полупроводниковый резистор // 2646545
Изобретение относится к технике полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению термо- и тензорезисторов на основе тензочувствительных полупроводниковых материалов. Резистор включает сформированный на подложке изоляционный слой, слой полупроводника, снабженный на концах контактами, выполненными в виде слоя металла. Резистор дополнительно снабжен нижним буферным и верхним буферным слоями. Нижний буферный слой расположен между изоляционным слоем и слоем полупроводника. Верхний буферный слой расположен на слое полупроводника. Нижний и верхний буферные слои выполнены из оксисульфида самария. Полученная структура дополнительно покрыта внешним защитным слоем. Использование изобретения позволяет минимизировать деградацию параметров полупроводникового тензорезистивного чувствительного элемента при повышенных рабочих температурах и обеспечить стабильность электрических параметров. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.
