Патенты автора Гришко Алексей Юрьевич (RU)
Заявляемое изобретение относится к области материаловедения, а именно к способам получения двухслойных структур, состоящих из светопоглощающего слоя галогенидного полупроводника состава АВХ3 и находящегося в контакте с ним слоя электропроводящего материала, для использования в качестве компонента фотоэлектрических устройств, в частности твердотельных, в том числе тонкопленочных, гибких или тандемных солнечных элементов, а также оптоэлектронных и светоизлучающих устройств. Способ включает формирование на подложке-носителе равномерного слоя-М прекурсора компонента В, поверх которого формируют или наносят предварительно сформированный равномерный слой-N, содержащий электропроводящий компонент D или его прекурсор, и реакционные компоненты АХ или смесь АХ и Х2. Затем слои выдерживают в течение времени, обеспечивающего полное протекание реакции между прекурсором компонента В и реакционными компонентами слоя-N с образованием слоя целевого соединения АВХ3, в результате чего получают двухслойную светопоглощающую электропроводящую структуру. Упомянутая двухслойная светопоглощающая электропроводящая структура содержит слой светопоглощающего материала состава АВХ3, включающего компонент А в виде однозарядного катиона А+, выбранного из катионов метиламмония CH3NH3+, формамидиния (NH2)2CH+, гуанидиния C(NH2)3+, Cs+, Rb+ и их смесей, компонент В в виде поливалентного катиона, выбранного из Pb, Sn, Bi и их смесей, и компонент X в виде однозарядного аниона X-, выбранного из Cl-, Br-, I-, и примыкающий к нему электропроводящий слой, содержащий электропроводящий компонент D. Обеспечивается создание более простого, технологичного и экологичного способа формирования двухслойных структур с одновременным формированием слоя АВХ3 и транспортного (электрон-/дырочнопроводящего) слоя, что позволяет добиться взаимного проникновения материалов в области границы раздела слоев, обеспечивая увеличение площади эффективного контакта. 23 з.п. ф-лы, 1 ил., 5 пр.
Изобретение относится к области материаловедения, а именно к способам получения пленки полупроводника на основе комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой, которая может быть использована в качестве светопоглощающего слоя в твердотельных, в том числе тонкопленочных, гибких или тандемных солнечных элементах, а также для создания оптоэлектронных, в частности светоизлучающих устройств. Способ получения полупроводниковой пленки на основе комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой включает следующие стадии: а) формирование слоя прекурсора компонента В на подложке-носителе, б) нанесение слоя реагента на поверхность слоя прекурсора компонента В и в) обработка подложки-носителя с нанесенными слоями реагентом Х2 в течение времени, необходимого и достаточного для протекания полной реакционной конверсии нанесенных реагента и прекурсора компонента В. На стадии б) в качестве реагента используют реакционную композицию, содержащую смесь АХ и Х2 с молярным соотношением [Х2]/[АХ] в диапазоне 0<[Х2]/[АХ]<1. На стадии б) получают пленку, содержащую зародыши зерен фазы с перовскитоподобной структурой. В качестве компонента В используют поливалентный катион металла, выбранный из Pb, Sn, Bi и их смесей. В качестве реагента АХ используют соль, образованную катионом А+ и анионом X-, причем катион А+ представляет собой однозарядный органический или неорганический катион, выбранный из катионов метиламмония СН3NН3+, формамидиния (NH2)2CH+, гуанидиния C(NH2)3+, катионов NH4+, Cs+, Rb+, монозамещенных или дизамещенных, или тризамещенных, или тетразамещенных катионов аммония, и смесей указанных катионов. Анион X- представляет собой однозарядный анион, выбранный из Сl-, Вr-, I-, или псевдогалогенидный анион, или их смесь. В качестве реагента Х2 используют молекулярный галоген. Обеспечивается создание более простого и технологичного способа получения пленок полупроводников на основе комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой, в частности для их использования в качестве светопоглощающего слоя в перовскитных солнечных элементах и повышения их коэффициента полезного действия по сравнению с аналогами. 5 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Изобретение относится к области материаловедения, а именно к технологии получения тонких пленок или контактных микропечатных планарных структур галогенидных полупроводников состава АВХ3, в том числе с органическими катионами, которые могут быть использованы в качестве светопоглощающего слоя в твердотельных, в том числе тонкопленочных, гибких или тандемных солнечных элементах или для создания светоизлучающих устройств. В способе получения тонкопленочных структур гибридных галогенидных полупроводников состава АВХ3, в состав которых входят компонент А в виде однозарядного катиона А+, выбранного из катионов метиламмония CH3NH3+, формамидиния (NH2)2CH+, гуанидиния C(NH2)3+, Cs+, Rb+, а также их смесей, компонент X в виде однозарядного аниона X-, выбранного из Cl-, Br-, I-, а также их смесей, и компонент B в виде поливалентного катиона, выбранного из Pb, Sn, Bi, а также их смесей, на поверхности вспомогательной подложки формируют технологический твердый жертвенный слой, представляющий собой композиционный материал, выполненный из полимерной матрицы с равномерно распределенным в ней компонентом АХ или смесью АХ и Х2, отдельно на подложке-носителе формируют равномерный слой прекурсора компонента В, приводят жертвенный слой в контакт со слоем прекурсора В и выдерживают в течение времени, обеспечивающем протекание полной реакционной конверсии слоя прекурсора компонента В при взаимодействии с прекурсорами АХ или смесью АХ и Х2 в слой состава АВХ3, после чего жертвенный слой удаляют. Технический результат заключается в упрощении и повышении технологичности процесса формирования тонкопленочных структур за счет использования реакционных компонентов в составе твердого слоя, а не в жидкой форме, а также в обеспечении возможности контролируемого нанесения компонентов АХ и Х2 за счет обеспечения диффузионного режима протекания реакции конверсии, что способствует улучшению воспроизводимости заявляемого способа. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 2 ил., 4 пр.
Изобретение относится к технологии производства фотоэлектрических преобразователей. Способ формирования пленки перовскитоподобного материала с общей формулой АВХ3 включает нанесение на подложку слоя перовскитоподобного материала заранее заданной толщины, после чего на слой наносят галоген до достижения частичного или полного сжижения данного слоя, после чего полностью удаляют избыточный галоген из слоя АВХ3 с обеспечением постепенной кристаллизации перовскитоподобного материала на подложке с образованием зерен первоскитоподобного материала размера большего, чем в исходном слое. Изобретение обеспечивает возможность улучшения качества полупроводниковых пленок, увеличения размера зерен, улучшения электрических, фотоэлектрических свойств тонких пленок светопоглощающих материалов с перовскитоподобной структурой состава ABX3, а также улучшения физической структуры пленок без недопустимого изменения химического состава и свойств исходных пленок. 13 з.п. ф-лы.
Изобретение относится к способам получения светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой и может быть использовано для формирования светопоглощающего слоя при производстве фотоэлектрических преобразователей с обеспечением экономии материалов и повышения допустимых размеров преобразователей. Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой включает формирование на подложке равномерного слоя компонента В в виде пленки элементарного свинца Pb2+ , или олова Sn2+ , или их смеси, приготовление смеси из реагентов АХ и Х2, которые вступают в реакцию с компонентом В при заранее заданных условиях, и ингибитора реакции, который подавляет данную реакцию при упомянутых условиях. Затем наносят приготовленную смесь в количестве стехиометрическом или большем, чем стехиометрическое, на слой компонента В и удаляют ингибитор реакции из упомянутой смеси с обеспечением активирования химической реакции между смесью из упомянутых реагентов и компонентом В с образованием пленки перовскитоподобного материала. В качестве компонента А упомянутого реагента используют CH3NH3+, или (NH2)2CH+, или С(NH2)3+ , или Cs+ , или Rb+ , или их смесь, и в качестве компонента Х используют Сl-, или Вr-, или I-, или их смесь. Обеспечивается возможность формирования слоя перовскита с заданными микроструктурой и функциональными свойствами на поверхностях любого размера. 19 з.п. ф-лы.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРУПНОЗЕРНИСТЫХ ПЛЕНОК ПЕРОВСКИТА В УСЛОВИЯХ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ОГРАНИЧЕННОГО РОСТА // 2661025
Использование: для получения пленок органо-неорганических соединений со структурой перовскита. Сущность изобретения заключается в том, что способ получения крупнозернистых пленок перовскита с химической формулой АВХ3 характеризуется тем, что расплав АХ - nX2 наносят на поверхность прекурсора компонента В, распределяют по этой поверхности пластиной, содержащей рельеф, и выдерживают так до полной конверсии прекурсора компонента В в перовскит состава АВХ3, после чего избыток расплава АХ - nX2 удаляют растворителем, где n≥1, А=CH3NH3+, (NH2)2СН+, С(NH2)3+, Cs+, В=Sn, Pb, Bi, Х=Cl, Br, I. Технический результат - обеспечение возможности увеличения сплошности покрытия и укрупнения средних размеров зерен перовскита. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к новому жидкому реагенту для получения органо-неорганических перовскитов, которые могут быть использованы для светопоглощающих материалов в солнечной энергетике. Жидкий исходный реагент для получения органо-неорганического перовскита соответствует составу АВ-nB2, где n=1-5, А является катионом, выбранным из CH3NH3+, (NH2)2CH+, C(NH2)3+, или смесью катионов CH3NH3+, (NH2)2CH+, C(NH2)3+, возможно в смеси с ионами Cs+, В является анионом, выбранным из Cl-, Br-, I-, или их смесью, В2 выбирается из Cl2, Br2 и I2 или их смеси. Изобретение также относится к способу получения указанного жидкого исходного реагента. Способ заключается в том, что осуществляют смешение соединения АВ, или смеси соединений АВ, возможно с галогенидом цезия, где А является катионом, выбранным из CH3NH3+, (NH2)2CH+, C(NH2)3+, В является анионом, выбранным из Cl-, Br-, I-, с компонентом В2, где В2 выбирается из Cl2, Br2 и I2 или их смеси, при молярном соотношении АВ к В2 от 1:1 до 1:5, в диапазоне температур от 10 до 120°C. Использование жидкой композиции полигалогенидов приводит к упрощению и ускорению технологического процесса получения органо-неорганического перовскита и перовскитоподобных соединений, содержащих Pb, Sn, Bi, т.к. позволяет провести процесс без применения растворителей. 2 н.п. ф-лы, 3 пр.
Изобретение относится к способу получения органо-неорганического светопоглощающего материала со структурой перовскита, который может быть использован при изготовлении «перовскитных» солнечных ячеек. Описан способ получения светопоглощающего материала со структурой перовскита со структурной формулой ADB3, где катионом А является CH3NH3+, (NH2)2CH+, C(NH2)3+, Cs+ или их смесь, анионом В является Cl-, Br-, I- или их смесь, а компонентом D является Sn, Pb или Bi или их смесь, заключающийся в смешивании реагента композиции АВ - nB2 и реагента, содержащего D, где в качестве реагента, содержащего D, используется Sn, Pb или Bi в виде металла или в составе сплавов, оксидов, солей, при этом на реагент D наносится реагент композиции АВ - nB2, с последующим удалением избытка реагентов, а в реагенте композиции АВ - nB2, n больше или равен единице, а компонентом В2 является Cl2, Br2, I2 или их смесь. Технический результат: разработан способ получения светопоглощающего органо-неорганического материала со структурой перовскита без использования растворителя. 7 з.п. ф-лы, 3 пр.
