Патенты автора Рогозин Никита Владимирович (RU)
Изобретение относится к области электроники и предназначено для перераспределения контактных площадок полупроводниковых кристаллов интегральных микросхем, гибридных интегральных схем, микросборок, модулей, микроэлектромеханических систем и датчиков на полупроводниковой пластине с помощью создания дополнительных тонкопленочных слоев и металлизации на основе платины. Сущность изобретения заключается в том, что способ перераспределения контактных площадок кристалла на основе платиновой металлизации интегральных схем включает нанесение на полупроводниковую пластину с сформированными полупроводниковыми структурами алюминиевой металлизации контактных площадок и слоя пассивации SiO2 или Si3N4, дополнительного репассивирующего слоя SiO2 или Si3N4 с последующим вскрытием окон для исходных контактных площадок кристаллов на полупроводниковой пластине, нанесение на всю поверхность пластины проводящих адгезионного и барьерного слоев нитрида титана TiN или совместно титана и нитрида титана Ti/TiN, нанесение на адгезионный слой слоя основной металлизации - платины Pt для создания топологических тонкопленочных структур электрических линий связи для перераспределения контактных площадок в матрицу контактных площадок по всей площади поверхности кристалла, нанесение на платину адгезионного и барьерного слоев нитрида титана TiN или совместно титана и нитрида титана Ti/TiN, нанесение верхнего защитного слоя, вскрытие в нем окон под контактные площадки до поверхности платиновой металлизации, формирование во вскрытых окнах контактных площадок припойных шариковых выводов на платиновой металлизации. Техническим результатом изобретения является возможность формировать равномерно перераспределенные по планарной стороне кристалла контактные площадки на всей поверхности полупроводниковой пластины, что позволяет создавать свободную матрицу паяных соединений, которая ограничивается только геометрическими размерами полупроводникового кристалла и необходимым количеством электрических контактов для монтажа методом «flip-chip». 1 з.п. ф-лы, 15 ил.
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ШАРИКОВЫХ ВЫВОДОВ НА АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК КРИСТАЛЛА // 2671383
Использование: для изготовления интегральных схем (ИС), гибридных интегральных схем (ГИС), микросборок и модулей. Сущность изобретения заключается в том, что на контактных площадках кристалла формируют шариковые выводы из платиновой проволоки термозвуковым методом сварки, а после планаризации шариковых выводов на них наносят шарик припоя для последующей пайки кристалла на корпус/подложку по технологии «flip-chip». Технический результат - обеспечение возможности повышения надежности и быстрого прототипирования без применения шаблонов. 3 ил.
Использование: для сборки трехмерных интегральных схем (ИС) 3D БИС. Сущность изобретения заключается в том, что способ изоляции при монтаже перевернутых кристаллов включает сборку, на которую поступают кристаллы с контактными столбиками и подложки с металлизацией на контактных площадках из припоя заданной толщины, между кристаллом и подложкой размещают клейкую ленту, имеющую отверстия, рисунок которых является зеркальным отображением расположения контактных столбиков на кристалле, при сборке контактные столбики кристалла через отверстия в ленте совмещают с припоем контактных площадок на подложке, затем проводят пайку в вакууме, при нагреве до температуры пайки и давлении на кристалл припой расплавляется, при этом происходит смачивание припоем всей поверхности контактных столбиков кристалла, в результате этого происходит заполнение зазора между контактными столбиками и отверстиями в клеящей ленте, а т.к. толщина ленты соизмерима с расстоянием между кристаллом и подложкой, то под давлением кристалла и при температуре пайки происходит плотное соединение ленты с поверхностями кристалла и подложки, что исключает не только растекание припоя по поверхностям кристалла и подложки и короткое замыкание между контактами прибора, но и образование пор на границе ленты с паяемыми поверхностями кристалла и подложки. Технический результат: обеспечение возможности повышения теплоотвода от кристалла к подложке. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
