Патенты автора Родная Анна Игоревна (RU)
Изобретение относится к негативным фоторезистам для процессов формирования топологических элементов микроэлектронных устройств с использованием «взрывной» фотолитографии. Предложена композиция негативного фоторезиста для «взрывной» фотолитографии, содержащая (мас.%) фенолоформальдегидную смолу (25,0-40,0), гексаметоксиметилмеламин (5,0-8,0), α-(4-тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид (1,0-2,0), органическое основание (0,04-0,20), фторалифатический эфир (0,1-2,0), Тинувин 1130 (1,0-10,0) и органические растворители (50,0-66,0). Технический результат – предложенная композиция фоторезиста позволяет получать четкий рисунок фотошаблона и увеличить отрицательный угол наклона маски фоторезиста, что улучшает качество проведения «взрывной» фотолитографии. 2 ил., 11 пр.
