Патенты автора ТАКЭ Наоя (JP)
Способ изготовления полупроводникового устройства (50), которое содержит первый элемент (10) и второй элемент (20), присоединяемый к первому элементу, содержит: a) образование (Cu,Ni)6Sn5 на Ni пленке (12), сформированной на первом элементе путем плавления первого припоя Sn-Cu (14), содержащего 0,9 вес. % или более Cu, на Ni пленке первого элемента; b) образование (Cu,Ni)6Sn5 на Ni пленке (22), сформированной на втором элементе путем плавления второго припоя Sn-Cu (24), содержащего 0,9 вес. % или более Cu, на Ni пленке второго элемента; а также c) соединение первого элемента и второго элемента друг с другом за счет расплавления первого припоя Sn-Cu, выполненного на этапе a), и второго припоя Sn-Cu, выполненного на этапе b), таким образом, что первый припой Sn-Cu и второй припой Sn-Cu соединяются в один. Изобретение обеспечивает получение заданного количества (Cu,Ni)6Sn5 на Ni пленке каждого из соединяемых элементов. 3 з.п. ф-лы, 22 ил.
