Патенты автора Аронов Алексей Николаевич (RU)
Изобретение относится к ферромагнитным композиционным материалам. Способ получения ферромагнитного композита MnSb-GaMn-GaSb включает нагревание смеси порошков металлов с размером частиц не более 10 мкм, состоящей из 32-38 ат. % Mn, 32-42 ат. % Sb и 26-33 ат. % Ga, в бескислородной среде в графитизированной кварцевой ампуле или корундовом тигле со скоростью не выше 100°С/ч до температур 660-720°С, после чего проводят выдержку при этих температурах в течение 3-6 ч и охлаждение со скоростью 80-200°С/ч до температуры 20-25°С. Обеспечивается получение ферромагнитного композиционного материала, состоящего из двух ферромагнетиков с температурами Кюри Тс~330° и широкозонного полупроводника. 1 з.п. ф-лы, 2 пр., 1 табл., 4 ил.
Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к созданию новых композиционных материалов, состоящих из полупроводника антимонида алюминия и ферромагнетика антимонида марганца, которые могут найти применение для создания магниточувствительных диодных структур, магнитных переключателей и сенсоров магнитных полей на основе ферромагнитного композита. Предложен способ получения ферромагнитного композита AlSb-MnSb, заключающийся в том, что поочередно наносят тонкие пленки марганца, сурьмы и алюминия в их стехиометрических соотношениях на диэлектрическую подложку, при этом пленку сурьмы наносят между марганцем и алюминием, далее полученную гетероструктуру подвергают термической обработке в бескислородной среде при температуре от 400 до 450°С в течение 2-4 часов до образования пленки двухфазного композита MnSb-AlSb. Нанесение тонких пленок металлов на подложку осуществляют методом вакуумно-термического напыления. В качестве диэлектрической подложки используют кремний или сапфир. Термическую обработку полученной гетероструктуры осуществляют в вакууме или в инертной среде. Предлагаемый способ позволяет получать композит на основе антимонида алюминия с антимонидом марганца, пригодный для создания ферромагнитного материала с высокими значениями температуры Кюри и со свойствами широкозонного полупроводника. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
