Патенты автора Хвальковский Алексей Васильевич (RU)
СПОСОБ И СИСТЕМА ЧТЕНИЯ СОСТОЯНИЯ ЯЧЕЙКИ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ С ПЕРЕНОСОМ СПИНА STT-MRAM // 2746237
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении вероятности возмущения чтением. Способ чтения состояния ячейки магниторезистивной памяти с переносом спина STT-MRAM, заключающийся в генерировании сигнала считывания Vrd во время Trd считывания ячейки памяти, причем напряжение сигнала Vrd в заданном временном диапазоне T2 периодически опускается ниже заданного значения стабилизационного импульса Vlo, и в заданном временном диапазоне T1 достигает значения Vhi, которое является выше значения Vlo. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 11 ил.
СЕРДЕЧНИК КАТУШКИ ИНДУКТИВНОСТИ (ВАРИАНТЫ) // 2705175
Изобретение относится к области изготовления магнитных тел, в частности к структуре магнитного материала с изменяемой анизотропией формы для возбуждения магнитного поля в заданном направлении, и может быть использовано для изготовления сердечников катушки индуктивности. Технический результат: обеспечение направления намагниченности сердечника катушки индуктивности за счет его выполнения из паттерна блоков магнитных элементов с анизотропией формы. Сущность: сердечник катушки индуктивности выполнен из набора магнитных блоков с анизотропией формы, содержащей длинную и короткую оси. Длинные оси блоков являются сонаправленными. Направление намагниченности сердечника устанавливается вдоль длинной оси блоков. Магнитные блоки разделены слоем немагнитного материала, толщина которого составляет от 0.5 нм до 20 мкм. Размер блоков имеет соотношение длинной оси к короткой оси от 1.4 до 100. Сердечник катушки индуктивности может быть выполнен из по меньшей мере двух слоев, каждый из которых состоит из набора магнитных блоков с анизотропией формы, содержащей длинную и короткую оси. Каждый слой блоков отделен от последующего слоя прослойкой из немагнитного материала, имеющей толщину от 0.4 нм до 2 мкм, а толщина магнитных слоев составляет от 0.4 нм до 2 мкм. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 11 ил.
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении сохранности информации в элементах на битовых ячейках магниторезистивной памяти (MRAM). Элемент MRAM состоит из n ячеек MRAM, где n ≥3, причем каждая из ячеек содержит по меньшей мере один слой магнитного материала с изменяемой ориентацией вектора намагниченности (свободный слой) и по меньшей мере один слой с фиксированным направлением вектора намагниченности (опорный слой), при этом легкая ось первой ячейки данного элемента MRAM имеет заданное направление, а направление легкой оси каждой последующей ячейки повернуто относительно предыдущей ячейки на угол, равный , при этом угол между ячейкой с номером n и первой ячейкой также составляет . 9 н.п. ф-лы, 6 ил.
