Патенты автора Цыренов Дмитрий Бадма-Доржиевич (RU)
Изобретение относится к технике нанесения композитных покрытий путем проведения неравновесных плазмохимических процессов, объединяющих ионное распыление в магнетронном разряде и распыление ионным пучком. Может быть использовано для нанесения сверхтвердых покрытий полифункционального назначения, в частности, ударо-, износо-, тепло-, трещино- и коррозионностойких. Технический результат - повышение эффективности процесса благодаря оптимизации совмещения функций центрального анода в качестве распыляемой ионным пучком мишени и расширение функциональных возможностей планарного магнетрона при синтезе наноструктурированных композитных покрытий полифункционального назначения. Планарный магнетрон содержит центральный анод, распыляемый ионным пучком, кольцевой анод, катод, кольцевые магниты, высоковольтный выпрямитель, систему напуска плазмообразующего газа. В магнетроне соосно оси его симметрии выполнено сквозное отверстие, соосно в отверстии установлен стержень с возможностью осевого вращения со скоростью 6,28 рад/с и наклонно удерживает центральный анод под углом 45-50° относительно направления падения распыляющего ионного пучка на центральный анод, причем ось вращения центрального анода совпадает с осью симметрии ионного пучка, стержень и центральный анод электрически соединенны с кольцевым анодом. 5 ил.
Газоразрядное распылительное устройство на основе планарного магнетрона с ионным источником // 2752334
Изобретение относится к газоразрядному распылительному устройству для нанесения композитных покрытий путем проведения неравновесных плазмохимических процессов, объединяющих ионное распыление в магнетронном разряде и распыление ионным пучком. Устройство содержит планарный магнетрон с центральным анодом, плазменный источник ионов, кольцевые магниты, высоковольтные выпрямители, источники газового питания разрядов. Разрядная камера плазменного источника ионов установлена на периферии магнетрона на расстоянии 0,1 м. Эмиссионный канал эмиттерного катода расположен на одной оси с центральным анодом магнетрона, который выполняет функцию распыляемой ионным пучком дополнительной мишени и расположен выше на 5 мм катода магнетрона и параллельно ему. При работе устройства след ионного пучка отмечается на центральном аноде и частично на катоде магнетрона и магнетронный разряд зажигается при давлении ниже 8⋅10-2 Па. На боковой стенке анода магнетрона и в катодной полости плазменного источника ионов выполнены отверстия для раздельной подачи, соответственно, реактивного газа в магнетрон, инертного газа в разрядную камеру ионного источника. Подложки устанавливаются по окружности между магнетроном и плазменным источником ионов вблизи ускоряющего электрода, параллельно катоду магнетрона, центр окружности находится на оси ионного пучка. Технический результат – повышение эффективности процесса за счет оптимизации совмещения функций планарного магнетрона и плазменного источника ионов, на основе продольной инжекции ионного пучка в магнетрон и расширения функциональных возможностей планарных магнетронов при синтезе наноструктурированных композитных покрытий. 2 ил.
Изобретение относится к способу и устройству синтеза сверхтвердого композитного покрытия TiN-Cu и может быть использовано для упрочнения рабочих кромок режущего инструмента. Способ включает синтез TiN при токе дугового разряда 60-90 А в парах Cu, дозированно инжектируемых в зону синтеза из зоны парообразования Cu, распылением Cu магнетронным разрядом при токе 0,6-1 А. Пары меди выпускают через щелевое отверстие в стенке, разделяющей зоны парообразования Cu и синтеза TiN. Устройство содержит вакуумно-дуговой испаритель, планарный магнетрон, вакуумную камеру плазмохимического реактора, держатель подложек и систему напуска реакционного газа - азота. Камера плазмохимического реактора разделена стенкой-диафрагмой на два отсека: отсек синтеза TiN и отсек парообразования Cu. В стенке-диафрагме выполнено щелевое отверстие, соосное с осью симметрии магнетрона. Планарный магнетрон и вакуумно-дуговой испаритель установлены: первый вертикально, второй горизонтально. Технический результат - повышение эффективности процесса за счет оптимизации технологических параметров синтеза композитного покрытия TiN-Cu с термической стабильностью, механическими, трибологическими и теплофизическими свойствами и управляемого формирования наноструктурированной зеренной структуры. 2 н.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.
