Патенты автора Володин Алексей Витальевич (RU)
Использование: полупроводниковая техника, силовая электроника, высоковольтные полупроводниковые приборы и микросхемы. Технический результат: повышенное напряжение пробоя кристалла высоковольтного прибора или микросхемы за счет уменьшенного влияния краевых полей в структуре кристалла. Сущность изобретения. Известен полупроводниковый кристалл, содержащий подложку p-типа с расположенным на ней эпитаксиальным слоем n-типа, в котором со стороны поверхности расположены две отстоящие друг от друга сильно легированные области полупроводника, первая p-типа и вторая n-типа. Первая область охватывает вторую область. Между областями под поверхностью кристалла и/или над ней расположены элементы защиты от поверхностного пробоя. Между эпитаксиальным слоем и подложкой расположен скрытый слой n-типа. Для достижения технического результата в скрытом слое сформированы как минимум два участка различной дозы легирования, из них первый участок расположен под всей сильно легированной областью полупроводника n-типа и легирован дозой примеси 0,2…0,25 мкКл/см2, второй участок скрытого слоя расположен вокруг первого участка, примыкая к нему, и легирован уменьшающейся дозой примеси по мере увеличения расстояния от конкретного места второго участка до первого участка. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 5 ил.
