Патенты автора Глушков Анатолий Евгеньевич (RU)
Изобретение относится к области конструирования и производства силовых полупроводниковых приборов и, преимущественно, кремниевых ограничителей напряжения. Техническим результатом изобретения является создание способа изготовления кристаллов силовых полупроводниковых приборов с плоским р-п-переходом, исключающего использование драгоценных и токсичных металлов, а также осаждение атомов металлов омических контактов на р-п-переход при травлении нарушенного слоя кремния с боковой поверхности кристалла, образовавшегося после разделения кремниевых пластин с р-п-структурами на кристаллы, т.е. снижение паразитного тока утечки р-п-перехода. В предложенном способе создаются условия для полной изоляции, как по поверхности, так и по боковому срезу слоев металлизации, металлов омических контактов кристаллов при травлении нарушенного слоя кремния. 1 табл., 6 ил.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОГРАНИЧИТЕЛЕЙ НАПРЯЖЕНИЯ // 2651624
Изобретение относится к области конструирования и производства мощных кремниевых ограничителей напряжения (защитных диодов), преимущественно с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, предназначенных для защиты электронных компонентов - интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА) от воздействия мощных импульсных электрических перенапряжений различного рода. Изобретение обеспечивает создание способа изготовления низковольтных ограничителей напряжения на основе одиночных кремниевых p-n-структур с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В с p-n-переходами, залегающими на достаточной для силовых приборов глубине - более 10 мкм. Способ изготовления ограничителей напряжения с напряжениями пробоя от 3 В до 15 В, содержащих базовые кристаллы кремния с созданными в них p-n-переходами, состоящими из p-слоев, легированных примесью p-типа проводимости, и n-слоев, легированных примесью n-типа проводимости, диэлектрической защиты p-n-переходов и металлических омических контактов, металлических теплоотводов, металлических выводов и герметичных корпусов, по которому согласно изобретению базовые кристаллы выполнены из кремния, легированного примесью p-типа проводимости - бором с концентрацией от 2⋅1020 см-3 до 4⋅1017 см-3, соответствующей удельному сопротивлению кремния от 0.001 Ом⋅см до 0.1 Ом⋅см, а p-n-переходы в базовых кремниевых кристаллах формируют длительной высококонцентрационной диффузией примеси n-типа проводимости - мышьяком из бесконечного источника в эвакуированной кварцевой ампуле при температуре ~1150°С в течение времени от 8 до 48 часов. 1 ил., 2 табл.
