Патенты автора Панасенко Владимир Васильевич (RU)

Изобретение относится к области изготовления транзисторов на основе полупроводниковых материалов, предпочтительно полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия. Транзистор с балочными выводами содержит токопроводящие выводы в виде металлической шины/балки, являющиеся продолжением контактных площадок и выходящие за пределы полупроводникового кристалла на расстояние, необходимое для приварки или припайки к токоведущим дорожкам, металлические шины/балки формируются одновременно с формированием контактных площадок, толщина шины/балки не менее 30 мкм, ширина шины/балки не менее 100 мкм, а размер полупроводникового кристалла по длине, ширине и толщине незначительно превышает минимально необходимое значение рабочей части транзистора. Достигаемый технический результат заключается в улучшении эксплуатационных характеристик транзистора за счет уменьшения длины соединительных металлических токоведущих шин/балок от кристалла транзистора до токоведущих дорожек в интегральной микросхеме до выводов в корпусе или кристаллодержателе, уменьшения количества точек приварки шин/балок к токоведущим дорожкам или к контактным площадкам, уменьшения посадочного места транзистора в интегральной микросхеме, а также повышения надежности работы транзистора за счет маленького размера и соответственно веса полупроводникового кристалла. 2 ил.

 


Наверх