Патенты автора Ромасько Светлана Владимировна (RU)
Изобретение относится к радиоизмерительной технике СВЧ и может быть использовано измерения S-параметров четырехполюсников. Способ измерения S-параметров четырехполюсников СВЧ, предназначенных для включения в микрополосковую линию, заключается в том, что четырехполюсник включают в анализатор, далее измеряют двухсигнальные комплексные коэффициенты отражения на входе и выходе при двух различных относительных сдвигах входного и выходного зондирующих сигналов. Также измеряют двухсигнальные комплексные коэффициенты отражения при непосредственном соединении входов входного и выходного измерительных каналов анализатора встык с последующим определением S-параметров четырехполюсника. Для достижения технического результата дополнительно измеряют односигнальные комплексные коэффициенты отражения на входе и выходе четырехполюсника при поочередной подаче на них соответственно входного и выходного зондирующих сигналов, а также односигнальные комплексные коэффициенты отражения входного и выходного измерительных каналов анализатора при непосредственном соединении их измерительных входов встык при поочередной подаче на них соответственно выходного и входного зондирующих сигналов. При этом к анализатору подключают сдвоенный согласованный микрополосковый калибратор и дополнительно измеряют его комплексные коэффициенты отражения при поочередной подаче на него входного и выходного зондирующих сигналов, с последующей нормировкой S-параметров четырехполюсника, измеренных в коаксиальных измерительных каналах анализатора относительно волнового сопротивления этого калибратора. Технический результат: повышение точности измерения S-параметров четырехполюсников в рассогласованных измерительных каналах анализатора, а также сокращение трудозатрат при многократной технологической коррекции опытного образца этих устройств. 2 ил.
Изобретение относится к радиоизмерительной технике СВЧ и может быть использовано для адекватного измерения S-параметров транзисторов, предназначенных для включения в микрополосковую линию. Задачей заявляемого способа является обеспечение адекватного измерения S-параметров транзисторов, предназначенных для включения в микрополосковую линию, в режиме усиления или генерации. Поставленная задача достигается тем, что в способе адекватного измерения S-параметров транзисторов на имитаторе-анализаторе усилителей и автогенераторов СВЧ, заключающемся в калибровке имитатора-анализатора стандартной скользящей короткозамкнутой коаксиальной мерой, после чего транзистор включают в имитатор-анализатор и с помощью его блока питания задают напряжения питания транзистора, а также с помощью синтезатора зондирующих и опорных сигналов имитатора-анализатора задают амплитуду входного непрерывного зондирующего сигнала транзистора (в режиме усиления транзистора), кроме того, посредством входного и выходного перестраиваемых согласующих трансформаторов задают нагрузочные комплексные коэффициенты отражения транзистора, обеспечивающие его режим усиления или генерации, далее в выбранном режиме работы транзистора измеряют комплексные коэффициенты отражения на его входе и выходе и комплексные коэффициенты его прямой и обратной передачи при заданном тесте зондирующих и опорных сигналов, который задает синтезатор зондирующих и опорных сигналов, а также измеряют нагрузочные комплексные коэффициенты отражения транзистора при непосредственном соединении измерительных входов имитатора-анализатора встык, на основе измеренных комплексных коэффициентов отражения и комплексных коэффициентов передачи рассчитывают S-параметры транзистора в режиме усиления или генерации, согласно изобретению имитатор-анализатор дополнительно калибруют расчетным согласованным микрополосковым калибратором, далее транзистор включают в имитатор-анализатор и осуществляют процедуру анализа устойчивости транзистора с построением устойчивых и неустойчивых областей нагрузочных комплексных коэффициентов отражения по входу и выходу транзистора, где устойчивые нагрузочные комплексные коэффициенты обеспечивают режим усиления транзистора, а неустойчивые - режим его генерации, после чего посредством имитатора-анализатора осуществляют процедуру имитационного моделирования усилителя или автогенератора, при которой задают: напряжения питания транзистора, амплитуду его входного непрерывного зондирующего сигнала (в режиме усиления транзистора), а также его нагрузочные комплексные коэффициенты отражения для режима усиления транзистора из их устойчивых, а для режима генерации из их неустойчивых (-) областей так, чтобы технические характеристики имитируемого усилителя или автогенератора, контролируемые с помощью контрольно-измерительных приборов имитатора-анализатора, удовлетворяли техническому заданию на проектирование этого устройства, что обеспечивает адекватное измерение комплексных коэффициентов отражения и комплексных коэффициентов передачи транзистора, а также адекватное измерение его нагрузочных комплексных коэффициентов отражения и, следовательно, адекватный расчет S-параметров транзистора, которые нормируют относительно волнового сопротивления расчетного согласованного микрополоскового калибратора, используемого при калибровке имитатора-анализатора. Технический результат при реализации заявленного решения заключается в адекватном измерении S-параметров транзисторов имитируемых усилителей и автогенераторов СВЧ с обеспечением повышенной эффективности проектирования этих устройств за счет сокращения цикла опытно-конструкторских работ в 1,5–2 раза, что достигается за счет необходимости многократной технологической коррекции опытного образца этих устройств. 5 ил.
