Патенты автора Матюхин Сергей Иванович (RU)
Изобретение относится к средствам контроля параметров полупроводниковых материалов. Способ неразрушающего контроля характеристик легированных слоев полупроводниковых структур включает измерение поверхностного сопротивления легированного слоя четырехзондовым методом, определение ИК-спектров отражения от поверхности кремниевых пластин, нахождение минимума на спектральной зависимости коэффициента отражения, вычисление по эмпирическим формулам концентрации примеси на поверхности легированного слоя и расчет глубины залегания р-n перехода по предложенной согласно изобретению расчетной формуле. Изобретение обеспечивает относительно простой и надежный способ неразрушающего контроля характеристик легированных слоев полупроводниковых структур. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства силовых полупроводниковых приборов и касается способа входного контроля монокристаллических кремниевых пластин. Способ включает в себя облучение пластин инфракрасным излучением, определение коэффициента пропускания, установление корреляционной зависимости между коэффициентом пропускания и количеством годных пластин и оценку пригодности пластин по этой характеристике. Для отсечения энергии источника инфракрасного излучения в полосе возбуждения нормальных колебаний кристаллической решетки кремния и в области ионизации примесей в нем между источником инфракрасного излучения и кремниевой пластиной устанавливают корригирующие светофильтры, а измерение коэффициента пропускания производят в полосе прозрачности шлифованных кремниевых пластин в диапазоне длин волн 5,5-30,0 мкм. Технический результат заключается в обеспечении возможности быстрого и неразрушающего контроля качества шлифованных монокристаллических кремниевых пластин, используемых при производстве силовых полупроводниковых приборов. 1 табл.
СПОСОБ ПРОФИЛАКТИКИ РЕФЛЮКСА ПРИ АНТЕГРАДНОМ ТРАНСПАПИЛЛЯРНОМ СТЕНТИРОВАНИИ ОБЩЕГО ЖЕЛЧНОГО ПРОТОКА // 2652738
Изобретение относится к медицине, а именно к абдоминальной хирургии, и может быть использовано при лечении пациентов с механической желтухой опухолевого генеза. Для этого осуществляют установку саморасправляющегося металлического стента. Располагают его таким образом, чтобы его проксимальный конец находился на 10-15 мм выше уровня опухолевой стриктуры, а дистальный конец стента, выступающий в просвет двенадцатиперстной кишки, составлял не менее 50-60% его общей длины. Способ обеспечивает эффективную профилактику рефлюкса при антеградном транспапиллярном стентировании общего желчного протока, что предупреждает развитие рефлюкс-холангита в послеоперационном периоде за счет оптимальной установки стента. 6 ил., 2 пр.
