Патенты автора НАКАЦУКА Кеисуке (JP)
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в предотвращении ошибок считывания и записи. Запоминающее устройство с изменением сопротивления содержит полупроводниковую подложку; обеспеченный на полупроводниковой подложке транзистор с управляющим выводом, первым выводом и вторым выводом; первый изолирующий слой, покрывающий транзистор и содержащий первый материал; второй изолирующий слой, обеспеченный на первом изолирующем слое и содержащий отличный от первого материала второй материал; третий изолирующий слой, обеспеченный на втором изолирующем слое и содержащий первый материал; первый контактный стержень, пронизывающий первый изолирующий слой и соединенный с первым выводом; первую и вторую проводящие линии; элемент изменения сопротивления, обеспеченный в первом изолирующем слое и присоединенный между вторым выводом и второй проводящей линией; второй контактный стержень, обеспеченный в первом изолирующем слое и присоединенный между элементом изменения сопротивления и второй проводящей линией; и третий контактный стержень, обеспеченный в первом изолирующем слое и присоединенный между элементом изменения сопротивления и вторым выводом. 4 з.п. ф-лы, 40 ил.
МАГНИТОРЕЗИСТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО // 2653131
Согласно одному варианту осуществления магниторезистивное запоминающее устройство включает в себя подложку, имеющую первую поверхность, которая включает в себя первое направление; и запоминающие элементы, имеющие переключаемое сопротивление. Первый столбец запоминающих элементов, выстроенных в линию вдоль первого направления, отличается от смежного второго столбца запоминающих элементов, выстроенных в линию вдоль первого направления, в позициях запоминающих элементов в первом направлении. 2 н. и 33 з.п. ф-лы, 80 ил.
