Патенты автора ХАМАМОТО Такеси (JP)
МАГНИТОРЕЗИСТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО // 2653131
Согласно одному варианту осуществления магниторезистивное запоминающее устройство включает в себя подложку, имеющую первую поверхность, которая включает в себя первое направление; и запоминающие элементы, имеющие переключаемое сопротивление. Первый столбец запоминающих элементов, выстроенных в линию вдоль первого направления, отличается от смежного второго столбца запоминающих элементов, выстроенных в линию вдоль первого направления, в позициях запоминающих элементов в первом направлении. 2 н. и 33 з.п. ф-лы, 80 ил.
