Патенты автора Либерова Галина Владимировна (RU)
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм. Они предназначены для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 не) при напряжениях смещения порядка 200 В. Способ изготовления многоплощадочного кремниевого pin-фоточувствительного элемента включает ионную имплантацию бора и разгонку в тыльную поверхность подложки, термическое окисление, диффузию и разгонку фосфора для создания областей фоточувствительных площадок и охранного кольца с одновременным окислением формирования защитной пленки двуокиси кремния, ионную имплантацию аргона и диффузию фосфора в тыльную поверхность подложки для геттерирования, удаление геттерирующего слоя, диффузию бора в тыльную поверхность подложки для создания контактного слоя р+-типа проводимости, химическое травление пленки двуокиси кремния для получения просветляющего покрытия, создание двухслойных золотых омических контактов к фоточувствительным площадкам, охранному кольцу и тыльному слою р+-типа проводимости, при этом согласно изобретению проводится двухстадийное геттерирование для удаления загрязняющих примесей, включающее в себя загонку фосфора в тыльную сторону пластины при температуре 1100°С в течение 20 минут и последующий отжиг в течение 1 часа, удаление фосфоросиликатного стекла с тыльной стороны пластины, ионную имплантацию аргона в тыльную сторону пластины с дозой 2⋅1015 см-2 и энергией 100 кЭв, термический отжиг при температуре 1000°С в течение 1 часа. Изобретение обеспечивает снижение уровня темновых токов. 1 ил., 1 табл., 1 пр.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм, предназначенных для использования в различной электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения. Способ изготовления многоплощадочного фоточувствительного элемента на подложках кремния с удельным сопротивлением более 20 кОм⋅см включает операции термического окисления, диффузии фосфора для формирования областей n+-типа проводимости, разгонки фосфора с одновременным окислением для выращивания защитной пленки двуокиси кремния, диффузии фосфора в тыльную поверхность подложки для геттерирования загрязняющих примесей, удаления геттерирующего слоя, диффузии бора в тыльную поверхность подложки для формирования контактного слоя p+-типа проводимости, операцию химического травления пленки двуокиси кремния для получения просветляющего покрытия и операцию создания двухслойных омических контактов к фоточувствительным площадкам, охранному кольцу и тыльному слою p+-типа проводимости методом напыления пленки золота с подслоем хрома, причем толщина пленки хрома на тыльном слое составляет 5-6 нм. Согласно изобретению для повышения быстродействия и монохроматической импульсной чувствительности на длине волны 1,06 мкм и увеличения процента выхода годных на начальном этапе изготовления ФЧЭ проводятся ионная имплантация бора в тыльную поверхность подложки и его длительная разгонка с целью создания толстого контактного слоя p+-типа проводимости. 1 табл., 1 ил.
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм, и может быть использовано в электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 нс). Способ изготовления многоплощадочного фоточувствительного элемента на подложках кремния с удельным сопротивлением более 20 кОм⋅см включает операции термического окисления, диффузии фосфора для формирования областей n+-типа проводимости, разгонки фосфора с одновременным окислением для выращивания защитной пленки двуокиси кремния, диффузии фосфора в тыльную поверхность подложки для геттерирования загрязняющих примесей, удаления геттерирующего слоя, диффузии бора в тыльную поверхность подложки для формирования контактного слоя p+-типа проводимости, операцию химического травления пленки двуокиси кремния для получения просветляющего покрытия и операцию создания двухслойных омических контактов к фоточувствительным площадкам, охранному кольцу и тыльному слою p+-типа проводимости методом напыления пленки золота с подслоем хрома, причем толщина пленки хрома на тыльном слое составляет 5-6 нм. Согласно изобретению для повышения быстродействия и монохроматической импульсной чувствительности на длине волны 1,06 мкм, снижения уровня темновых токов ФЧЭ и увеличения процента выхода годных на первом этапе изготовления ФЧЭ проводятся ионная имплантация бора в тыльную поверхность подложки и его длительная разгонка с целью создания толстого контактного слоя p+-типа проводимости, а также комплексное геттерирование, включающее в себя ионную имплантацию аргона и диффузию фосфора в тыльную поверхность подложки. 1 ил., 1 табл.
