Патенты автора Степанюк Владимир Евгеньевич (RU)
Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых pin-фоточувствительных элементов (ФЧЭ), чувствительных к излучению с длиной волны 1,06 мкм, и может быть использовано в электронно-оптической аппаратуре, в которой требуется регистрация коротких импульсов лазерного излучения (10-40 нс). Способ изготовления многоплощадочного фоточувствительного элемента на подложках кремния с удельным сопротивлением более 20 кОм⋅см включает операции термического окисления, диффузии фосфора для формирования областей n+-типа проводимости, разгонки фосфора с одновременным окислением для выращивания защитной пленки двуокиси кремния, диффузии фосфора в тыльную поверхность подложки для геттерирования загрязняющих примесей, удаления геттерирующего слоя, диффузии бора в тыльную поверхность подложки для формирования контактного слоя p+-типа проводимости, операцию химического травления пленки двуокиси кремния для получения просветляющего покрытия и операцию создания двухслойных омических контактов к фоточувствительным площадкам, охранному кольцу и тыльному слою p+-типа проводимости методом напыления пленки золота с подслоем хрома, причем толщина пленки хрома на тыльном слое составляет 5-6 нм. Согласно изобретению для повышения быстродействия и монохроматической импульсной чувствительности на длине волны 1,06 мкм, снижения уровня темновых токов ФЧЭ и увеличения процента выхода годных на первом этапе изготовления ФЧЭ проводятся ионная имплантация бора в тыльную поверхность подложки и его длительная разгонка с целью создания толстого контактного слоя p+-типа проводимости, а также комплексное геттерирование, включающее в себя ионную имплантацию аргона и диффузию фосфора в тыльную поверхность подложки. 1 ил., 1 табл.
