Патенты автора Гудкова Нина Борисовна (RU)
Интегральная схема СВЧ // 2654970
Заявлена интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую подложку из алмаза, на обратной стороне которой выполнено металлизационное покрытие, элементы интегральной схемы - активные и пассивные элементы, линии передачи, выводы, в диэлектрической подложке из алмаза выполнены сквозные металлизированные отверстия, посредством которых интегральная схема заземлена, элементы интегральной схемы выполнены монолитно и соединены согласно ее электрической схемы. При этом активные и пассивные элементы, линии передачи и выводы выполнены планарно на лицевой стороне диэлектрической подложки из алмаза, при этом каждый активный элемент заглублен в диэлектрическую подложку из алмаза на толщину его эпитаксиальной структуры соответственно, при этом активные и пассивные элементы, линии передачи и выводы выполнены с обеспечением единой планарной плоскости. Технический результат - улучшение электрических характеристик - выходной мощности, коэффициента полезного действия, повышение воспроизводимости и надежности интегральной схемы СВЧ. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.
Использование: для металлизации диэлектрического материала компонента электронной техники СВЧ. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает формирование защитного слоя на поверхности диэлектрического материала компонента, за исключением его лицевой поверхности, посредством погружения его в раствор на основе полимерного материала, расположенный на подложке-носителе из высокотемпературного материала, с последующей очисткой, формирование металлизационного покрытия на лицевой поверхности диэлектрического материала компонента из двух частей, первой части - методом вакуумного напыления системы металлов, второй части - методом гальванического наращивания заданной толщины соответственно, удаление нерабочих материалов, при формировании упомянутого защитного слоя используют раствор на основе высокотемпературного полиимидного лака, металлизационное покрытие первой и второй частей формируют с обеспечением их селективного травления, перед формированием второй части металлизационного покрытия по всей лицевой поверхности первой части металлизационного покрытия формируют второй защитный слой из фоторезистивной маски заданной топологии, толщиной менее 2 мкм путем нанесения фоторезистивной пленки методом центрифугирования с последующим ее экспонированием по всей поверхности в течение времени, обеспечивающего формирование заданной топологии фоторезистивной маски, а вторую часть металлизационного покрытия формируют локально через эту фоторезистивную маску, удаление нерабочих материалов осуществляют в следующей последовательности - фоторезистивной пленки, селективно металлизационного покрытия вне лицевой поверхности диэлектрического материала компонента и первого защитного слоя. Технический результат - обеспечение возможности повышения качества металлизационного покрытия диэлектрического материала. 5 з.п. ф-лы, 1 табл.
