Патенты автора КОНРАДС Ральф Гордон (NL)
Изобретение относится к области нагревательных устройств и может быть использовано для регулирования температуры обработки полупроводниковой пластины в процессе выращивания полупроводникового слоя. Данное изобретение описывает нагревательную систему (100) и соответствующий способ нагревания нагреваемой поверхности (180) объекта (150, 950) до температуры обработки, составляющей по меньшей мере 100°C. Причем нагревательная система (100) содержит полупроводниковые источники (115) света и выполнена с возможностью нагревания элемента площади нагреваемой поверхности (180) с помощью по меньшей мере 50-ти полупроводниковых источников (115) света одновременно. Нагревательная система (100) может быть частью реактора для обработки полупроводниковых структур. Свет, излучаемый посредством полупроводниковых источников (115) света, перекрывается на нагреваемой поверхности (180). Отличия характеристики одного отдельного полупроводникового источника (115) света могут быть размыты на нагреваемой поверхности (180) таким образом, чтобы могло быть обеспечено однородное распределение температуры по поверхности обработки, например, полупроводниковой пластины. Технический результат – повышение однородности распределения температуры по поверхности обработки. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 15 ил.
СИСТЕМА ЛАЗЕРНОЙ ПЕЧАТИ // 2656205
Изобретение описывает систему (100) лазерной печати для освещения объекта, движущегося относительно лазерного модуля системы (100) лазерной печати в рабочей плоскости (180), и соответствующий способ лазерной печати. Лазерный модуль содержит, по меньшей мере, два лазерных массива (110) полупроводниковых лазеров (115) и, по меньшей мере, один оптический элемент (170). Оптический элемент (170) выполнен с возможностью формирования изображения лазерного света, излучаемого лазерными массивами (110), таким образом, что лазерный свет полупроводниковых лазеров (115) одного лазерного массива (110) отображается в один пиксель в рабочей плоскости (180) системы (100) лазерной печати, и элемент площади пикселя освещается посредством, по меньшей мере, двух полупроводниковых лазеров (115). Оптический элемент не проецирует или не фокусирует лазерный свет каждого одиночного полупроводникового лазера (115) на рабочую плоскость (180), но формирует изображения всех лазерных массивов в рабочей плоскости. Перекрытие лазерного света, излучаемого полупроводниковыми лазерами (115), может повышать однородность освещенности или подвода энергии и надежность в отношении отказов одиночных полупроводниковых лазеров (115). 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 17 ил.
