Патенты автора Бисенгалиев Рустем Александрович (RU)
Использование: для оценки скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что метод оценки скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводниках типа CdS, основанный на зависимости структуры спектра фотопроводимости от величины и знака напряженности электрического поля на поверхности полупроводника, отличается тем, что скорость поверхностной рекомбинации полупроводника определяется по форме спектральной кривой фототока в области экситонных резонансов. Технический результат: обеспечение возможности простого в реализации, свободного от ограничений, налагаемых на характеристики полупроводника, метода определения S. 1 ил.
Управляемый светом генератор электрических колебаний на однородных кристаллах сульфида кадмия // 2655737
Изобретение относится к оптоэлектронным устройствам и может быть использовано в качестве генератора колебаний синусоидальной, пилообразной и сложной (сумма нескольких синусоид) форм на основе однородного кристалла CdS, управляемого светом. Управляемый светом генератор электрических колебаний на однородном кристалле CdS состоит из металлического корпуса, монокристалла CdS, наклеенного на изолирующей подложке, которая, в свою очередь, приклеивается в центре дна корпуса, из прозрачного для видимого света окошка, из электрических выводов, расположенных рядом с торцевыми гранями полупроводника. При этом в данном устройстве используют монокристалл CdS, фотоэлектрические свойства которого проявляются токовой неустойчивостью, при освещении светом в области примесных переходов при тянущем поле от 200 В/см до 1000 В/см. Использование таких образцов монокристалла CdS позволит реализовать в фотосопротивлениях эффект генерации колебаний инфранизких частот. Изобретение обеспечивает возможность создания генератора колебаний на однородных кристаллах (CdS) использующего принцип работы, заключающийся в создании фотосопротивления на основе однородного кристалла CdS, чье сопротивление изменяется во времени синусоидально либо пилообразно или в виде «биений», описываемых как наложение двух синусоид с разной частотой. При этом спектральный диапазон фоточувствительности полупроводника составляет узкий интервал длин волн 510-520 нм, а токи, текущие через полупроводник, варьируются в диапазоне 10-9-10-4 А. 2 ил.
