Патенты автора Гайдайчук Александр Валерьевич (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковых тонкопленочных технологий и может быть использовано в микро- и наноэлектронике, фотонике и СВЧ-электронике. Способ селективного осаждения поликристаллического алмазного покрытия на кремниевое основание включает смешивание позитивного фоторезиста с частицами алмаза и нанесение полученной смеси на поверхность кремниевого основания в виде пленки с последующим ультрафиолетовым воздействием, травление неполимеризованного фоторезиста с частицами алмаза и селективное осаждение поликристаллического алмазного покрытия методом газофазного осаждения. В качестве частиц алмаза используют наночастицы алмаза, размер которых выбран из диапазона 3-100 нм, перед осаждением поликристаллического алмазного покрытия осуществляют реактивное ионное травление кремниевого основания с нанесенным фоторезистивным рисунком на глубину, превышающую размер наночастиц алмаза, пучком ионов аргона с энергией 0,3-10 кэВ при давлении 5⋅10-4 - 1⋅10-2 Торр. Реактивное ионное травление осуществляют в атмосфере аргона чистоты 99,999%. Толщина фоторезистивного рисунка в 10-100 раз превышает глубину травления. Обеспечивается получение заранее заданной топологии алмазного покрытия с низкой концентрацией паразитных алмазных кристаллитов в областях, не требующих заращивания. 2 з.п. ф-лы, 3ил., 1 табл., 1 пр.

 


Наверх