Патенты автора Сахаров Владимир Евгеньевич (RU)
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и наноэлектроники, а именно к способу получения наноструктур с твердотельными лучами в виде нанозвезд. Проводят конденсацию золота на подложку методом термического испарения в вакуумной установке. Конденсацию золота на одну и ту же подложку осуществляют в два этапа: на первом этапе температура подложки находится в интервале от 10 до 40 °С, длительность конденсации составляет 10-30 с, обеспечивая конденсацию двух монослоев пленки золота. На втором этапе одновременно продолжают конденсацию золота на подложку, которую охлаждают жидким азотом, и проведение импульсной фотонной обработки (ИФО) поверхности подложки в ультрафиолетовом спектре. Импульсы ИФО имеют параболически возрастающую длительность. Промежутки между импульсами остаются постоянными, мощность ультрафиолетового излучения при ИФО ≤ 2 Вт/см2. Обеспечивается создание стабильных во времени наночастиц в виде золотых нанозвезд с контролируемым размером, со слабой адгезией с подложкой, без использования дорогостоящих катализаторов и затратных технологических операций. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу модификации поверхности алюминиевой фольги для электролитического конденсатора, и может быть использовано в радиоэлектронной технике, где требуется миниатюризация аппаратуры. Увеличение удельной емкости и плотности запасаемой энергии электролитическим конденсатором является техническим результатом изобретения. Предложенный способ включает нанесение методом электронно-лучевого испарения в вакууме на металлическую фольгу покрытия, состоящего из смеси токопроводящего и диэлектрического материалов, при этом покрытие с открытой пористостью и фрактальными микро- и наноструктурами получают методом электронно-лучевого осаждения. Сначала проводят испарение углерода для его конденсации в кристаллической модификации графит, для чего проводят фотонную обработку поверхности, представляющую собой последовательность интервалов облучения с переменной длительностью, при этом значение мощности поступающего на подложку излучения составляет не менее 5 Вт/см2, длительность последующего интервала облучения равна корню квадратному из длительности предыдущего интервала, продолжительность между интервалами остается неизменной в течение всего времени конденсации углерода, после чего осаждают диэлектрик, в качестве которого используют алюминий, окисленный технологическим газом, который подают в зону конденсации. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.
Изобретение относится к способам нанесения покрытий из карбидов и тугоплавких металлов на подложку магнетронным распылением. Способ включает механическую очистку и обезжиривание поверхности, нанесение покрытия распылением мозаичной мишени в магнетронной распылительной системе. В среде инертного газа до начала магнетронного распыления проводят 5-10 циклов импульсной фотонной обработки (ИФО) поверхности в ультрафиолетовом спектре. Затем одновременно с ИФО проводят магнетронное распыление, причем мощность поступающего излучения выбирают с возможностью обеспечения образования точечных дефектов в приповерхностном слое подложки, но недостаточную для его нагрева выше 10% от температуры плавления конденсируемого материала, длительность импульсов ИФО составляет не более 2 секунд, а промежутки между импульсами не менее 0,5 с. Техническим результатом изобретения является получение покрытий, обладающих повышенной твердостью, износостойкостью при контактных нагрузках, высокими значениями ресурса работы при различных видах трения, химической инертностью в широком интервале температур. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.
Изобретение относится к технологии формирования упорядоченных структур на поверхности твердого тела и может быть использовано для получения нитевидных кристаллов из различных материалов, пригодных для термического испарения. На подложку, имеющую морфологию в виде упорядоченных пор и/или других упорядоченных неоднородностей нано- и/или микрометрового размера 2, осуществляют термическое осаждение 1 материала, предназначенного для формирования нитевидных кристаллов. Температуру подложки выбирают таким образом, чтобы обеспечить диффузионное движение атомов по подложке, но не допустить плавления конденсируемого материала. Одновременно с термическим испарением 1 проводят импульсную фотонную обработку (ИФО) 3 поверхности подложки, обеспечивая тем самым дополнительный нагрев приповерхностного слоя. Мощность ИФО выбирают максимально большой (1,6÷2,4 Вт/см2), при которой реиспарение конденсируемых атомов незначительно. Для получения нитевидных кристаллов максимальной длины конденсацию проводят до тех пор, пока интегральная (суммарная) толщина полученного конденсата не станет равной 1 мкм. Технический результат - получение твердотельных регулярно расположенных на подложке нитевидных кристаллов необходимой длины (до 10 мкм) из различных металлов и полупроводников, пригодных для термического испарения, обладающих стойкостью к внешней среде (температуре, давлению, свету), на поверхности любой подложки, содержащей упорядоченные дефекты. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
