Патенты автора Новоселова Елена Григорьевна (RU)
Изобретение относится в измерительной техники, а именно к способам неразрушающего контроля объектов в микро- и наноэлектронике. В способе определения температур фазовых переходов в пленках и скрытых слоях многослойных структур нанометрового диапазона толщин нагреваемый образец облучают потоком выходящего из источника рентгеновского излучения и осуществляют регистрацию отраженного от поверхности образца излучения. Согласно заявляемому изобретению осуществляют контролируемый нагрев образца, нагреваемый образец облучают параллельным пучком рентгеновского излучения под критическим углом полного внешнего отражения, преломленное образцом излучение передают на кристалл-анализатор многократного отражения и отраженный кристаллом-анализатором многократного отражения луч регистрируют детектором. По скачкообразному изменению интенсивности преломленного рентгеновского излучения фиксируют температуру изменения плотности материала пленки при фазовом переходе. Кроме того, параллельный пучок рентгеновского излучения формируют с помощью монохроматора многократного отражения, который вместе с кристаллом-анализатором многократного отражения образует схему бездисперсионного монокристального спектрометра с возможностью регистрации малых изменений критического угла Θс. Технический результат – повышение точности определения температуры плавления пленок и отдельных слоев многослойных структур нанометрового диапазона толщин при любых сочетаниях материалов пленки и подложки вне зависимости от их структуры (кристаллической или аморфной) и прозрачности для оптического излучения. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
