Патенты автора СИНГХ Раджвиндер (NL)
Использование: для создания светоизлучающего устройства. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает в себя выращивание полупроводниковой структуры на подложке, которая включает в себя алюминийсодержащий слой в непосредственном контакте с подложкой и III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. Способ дополнительно включает в себя удаление подложки и прозрачный материал в непосредственном контакте с алюминийсодержащим слоем. Технический результат: обеспечение возможности создания светоизлучающего устройства с улучшенным извлечением света. 1 н. и 11 з.п. ф-лы, 8 ил.
