Патенты автора Смирнова Мария Николаевна (RU)
Изобретение относится к области композиционных гетероструктур, обладающих высоким низкочастотным магнитоэлектрическим эффектом, состоящих из слоя ферромагнетика и керамической сегнетоэлектрической подложки, конкретно к способу получения слоя металлического кобальта на поверхности керамики состава PbZr0,45Ti0,55O3. Способ получения гетероструктуры Co/PbZr0,45Ti0,55O3 включает сглаживание поверхности сегнетоэлектрической подложки PbZr0,45Ti0,55O3 толщиной 120-200 мкм до уровня шероховатости не более 20 нм и напыление ионно-лучевым методом слоя кобальта толщиной 2-4 мкм. Перед напылением слоя кобальта предварительно проводят профилирование поверхности подложки PbZr0,45Ti0,55O3, включающее проведение разметки поверхности выступами в форме лент шириной 5-7 мкм с расстоянием между ними 12-15 мкм методом ионно-лучевого напыления маски алюминия толщиной 1-3 мкм и вытравливание расстояния между размеченными выступами на глубину от 1 до 3 мкм. Гетероструктуры, состоящие из слоя ферромагненика, нанесенного на подложку из сегнетоэлектрика, характеризуются высоким низкочастотным магнитоэлектрическим эффектом. 4 ил., 3 пр.
Изобретение относится к способу получения гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si со стабильной межфазной границей пленка/подложка, где х=0,05÷0,25. Осуществляют нанесение на полупроводниковую подложку монокристаллического кремния пленки галлий-замещенного феррита магния Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0,05÷0,25. Нанесение пленки проводят в 5 этапов. На 1 этапе на подложку Si ионно-лучевым методом наносят слой галлий-замещенного феррита магния толщиной от 10 до 20 нм, распыляя порошкообразную мишень галлий-замещенного феррита магния пучком ионов кислорода с энергией от 1500 до 1600 эВ и плотностью тока пучка ионов от 0,1 до 0,25 мА/см2. На 2 этапе проводят кристаллизацию полученного слоя путем нагревания со скоростью 150°С/мин до температуры 700-720°С и выдерживания в течение 2-3 мин с последующим охлаждением. На 3 этапе кристаллическую пленку пучком ионов кислорода с энергией 300 - 400 эВ и плотностью тока пучка от 0,1 до 0,25 мА/см2 утончают до толщины 2-4 нм. На 4 этапе на утонченный кристаллический слой галлий-замещенного феррита магния ионно-лучевым методом повторно наносят слой феррита того же состава, что и на первом этапе, до толщины пленки, не превышающей 80 нм, распыляя порошкообразную мишень галлий-замещенного феррита магния пучком ионов кислорода энергией от 1500 до 1600 эВ и плотностью тока пучка ионов от 0,1 до 0,25 мА/см2. На 5 этапе проводят повторную кристаллизацию пленки галлий - замещенного феррита магния на упомянутой подложке. Изобретение позволяет создавать гетероструктуру со стабильными межфазными границами пленка/подложка для устройств спинтроники. 3 ил., 3 пр.
