Патенты автора Голикова Ольга Львовна (RU)
Изобретение относится к способу получения гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si со стабильной межфазной границей пленка/подложка, где х=0,05÷0,25. Осуществляют нанесение на полупроводниковую подложку монокристаллического кремния пленки галлий-замещенного феррита магния Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0,05÷0,25. Нанесение пленки проводят в 5 этапов. На 1 этапе на подложку Si ионно-лучевым методом наносят слой галлий-замещенного феррита магния толщиной от 10 до 20 нм, распыляя порошкообразную мишень галлий-замещенного феррита магния пучком ионов кислорода с энергией от 1500 до 1600 эВ и плотностью тока пучка ионов от 0,1 до 0,25 мА/см2. На 2 этапе проводят кристаллизацию полученного слоя путем нагревания со скоростью 150°С/мин до температуры 700-720°С и выдерживания в течение 2-3 мин с последующим охлаждением. На 3 этапе кристаллическую пленку пучком ионов кислорода с энергией 300 - 400 эВ и плотностью тока пучка от 0,1 до 0,25 мА/см2 утончают до толщины 2-4 нм. На 4 этапе на утонченный кристаллический слой галлий-замещенного феррита магния ионно-лучевым методом повторно наносят слой феррита того же состава, что и на первом этапе, до толщины пленки, не превышающей 80 нм, распыляя порошкообразную мишень галлий-замещенного феррита магния пучком ионов кислорода энергией от 1500 до 1600 эВ и плотностью тока пучка ионов от 0,1 до 0,25 мА/см2. На 5 этапе проводят повторную кристаллизацию пленки галлий - замещенного феррита магния на упомянутой подложке. Изобретение позволяет создавать гетероструктуру со стабильными межфазными границами пленка/подложка для устройств спинтроники. 3 ил., 3 пр.
