Патенты автора Амбарцумов Михаил Георгиевич (RU)
Изобретение предназначено для производства гетероэпитаксиальных структур для изготовления светодиодов, фотоприемников, полупроводниковых лазеров, транзисторов и диодов. В основе изобретения лежит метод низкотемпературной плазмоактивированной гетероэпитаксии. В этом способе синтез пленки III-нитрида осуществляется путем циклического процесса, в котором каждый цикл состоит из четырех стадий:- импульсной подачи в реактор ограниченного объема металлорганического соединения (МОС) с целью формирования на поверхности подложки слоя химически адсорбированных радикалов МОС, с плотностью менее 95% от плотности, достигаемой в режиме самоограниченного роста, - продувки реактора инертным газом с целью удаления продуктов химических реакций с участием МОС,- обработки подложки в плазме газовой смеси азота и водорода с целью насыщения поверхности азотом, который, взаимодействуя с радикалами МОС, формирует зародыши слоя нитрида алюминия,- стадии вентиляции реактора после стадии плазменной активации.Техническим результатом, получаемым при реализации заявленного изобретения, является повышение кристалличности гетероэпитаксиальных пленок III-нитрида, выращенных при температурах менее 500°C на монокристаллической пластине сапфира, карбида кремния или на гетероструктуре с верхним слоем III-нитрида. 3 ил.
