Патенты автора Воробьев Вячеслав Валерьевич (RU)

Изобретение относится к оптике, а именно к способам изготовления устройств, служащих для анализа химических веществ при использовании эффекта поверхностно-усиленного комбинационного рассеяния света молекулами, находящимися вблизи наноструктур из серебра, проявляющих плазмонный резонанс электронов проводимости, колебания которых создает локальное электромагнитное поле. Данные устройства предназначены для определения малых концентраций органического вещества при возбуждении его лучом лазера в видимом диапазоне и выполнены на основе подложек из пористого кремния с поверхностными наноструктурами из серебра. Способ изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния заключается в формировании заданной структуры на поверхности исходной пластины монокристаллического кремния, путем имплантации ионами серебра с энергией 4-120 кэВ, дозой облучения, обеспечивающей концентрацию вводимых атомов металла в облучаемом слое кремния 1.0⋅1019-6.5⋅1023 атомов/см3, и плотностью тока ионного пучка 2⋅1012-1⋅1014 ион/см2с. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности изготовления чувствительных к гигантскому комбинационному рассеянию света подложек с поверхностью из пористого кремния, содержащего наночастицы серебра не химическим способом и за один технологический цикл в вакууме. 10 ил.

Изобретение относится к области биохимии. Предложен носитель для культивирования клеток человека и животных. Причём носитель представляет собой живой мох. Изобретение обеспечивает отсутствие цитотоксических действий на различные линии клеток. 4 ил., 5 табл., 7 пр.

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается алмазной дифракционной решетки для видимого диапазона. Дифракционная решетка содержит алмазную подложку с внедренной в ее поверхность дифракционной периодической микроструктурой. Элементами дифракционной периодической микроструктуры являются графитизированные области на поверхности монокристаллического алмаза, подвергнутые ионному облучению ионами бора и характеризуемые другой диэлектрической проницаемостью относительно материала подложки. Технический результат заключается в обеспечении возможности создания дифракционной решетки на монокристаллическом алмазе с возможностью ее использования, как для отраженного, так и для проходящего света. 10 ил.

Способ включает в себя формирование заданной периодической микроструктуры на поверхности полированного алмаза с помощью имплантации ионами бора с энергией 10-100 кэВ, дозой облучения 1⋅1015-1.0⋅1020 ион/см2 через поверхностную маску. Технический результат заключается в обеспечении возможности изготовления алмазных дифракционных решеток при помощи непрерывной имплантации ионами бора. 10 ил.

 


Наверх