Патенты автора Кожевников Данила Александрович (RU)
Изобретение относится к полупроводниковым детекторам ионизирующего излучения. Гибридный пиксельный детектор ионизирующих излучений содержит полупроводниковый структурированный сенсор для регистрации ионизирующих излучений, состоящий из матрицы столбчатых элементов, электрически изолированных друг от друга тонким слоем диэлектрика, и регистрирующую матричную микросхему, соединенные методом перевернутого кристалла, при этом толщина сенсора составляет 4 мм, а размер пикселя сенсора - 55 мкм или 110 мкм. Технический результат – повышение эффективности регистрации излучения, повышение пространственного и энергетического разрешения детектора. 4 ил.
ПЛАНАРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР // 2672039
Планарный полупроводниковый детектор предназначен для регистрации излучений в ядерной физике, физике высоких энергий, а также в цифровых аппаратах, регистрирующих заряженные частицы, гамма-кванты и рентгеновское излучение. На обеих сторонах детектора выполнены контактные электроды в виде металлизации. Металлизация лицевой (обращенной к источнику ионизирующего излучения) поверхности сформирована в виде сетки малой площади с шириной стрипа 3-10 мкм и с шагом в 30-100 мкм. Техническим результатом изобретения является увеличение эффективности регистрации ионизирующего излучения (в частности, мягкого рентгеновского) и улучшение измерения энергии тяжелых заряженных частиц (в частности, α-частиц) планарными детекторами на основе полупроводниковых материалов путем уменьшения поглощения ионизирующего излучения в материале лицевого электрода при несущественном изменении электрического поля внутри детектора. 7 ил.
Полупроводниковый пиксельный детектор заряженных сильно ионизирующих частиц (многозарядных ионов) // 2659717
Использование: для создания полупроводникового пиксельного детектора сильно ионизирующих заряженных частиц. Сущность изобретения заключается в том, что детектор включает последовательное соединение монолитного слоя высокоомного полупроводникового материала (сенсора) со сплошным внешним и пиксельным внутренним металлическими электродами и регистрирующей пиксельной микросхемы с коэффициентом усиления не менее 80 мВ/фКл, при этом из схемы детектора исключен источник напряжения смещения и добавлен резистор, который подключен к внешнему металлическому электроду сенсора и регистрирующей схеме. Технический результат - обеспечение возможности упрощения конструкции детектора, снижения веса и энергопотребления такой аппаратуры, повышения надежности работы детектора и удобство его эксплуатации. 4 ил.
