Патенты автора Маричев Артем Евгеньевич (RU)
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления полупроводниковых структур многокаскадных (многопереходных) фотоэлектрических преобразователей оптического излучения с соединительными элементами между переходами. Способ изготовления полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя включает последовательное формирование на полупроводниковой подложке методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений слоев n-типа проводимости и р-типа проводимости, образующих не менее двух n-р или р-n диодов. Слои сопряженных друг с другом диодов разделяют посредством введения в зону сопряжения компонентов микрочастиц из проводящего или полупроводникового материала, размеры которых превышают толщину области пространственного заряда в рассматриваемой зоне сопряжения, а ширина запрещенной зоны материала микрочастиц больше ширины запрещенной зоны материала нижележащих компонентов в направлении от источника света. При этом выращивание расположенного на слое микрочастиц слоя диода осуществляют субслоями толщиной 50-150 нм с прерыванием подачи металлоорганических соединений на 10-15 секунд при постоянной подаче водорода. Изобретение обеспечивает повышенную эффективность фотопреобразования изготовленной согласно изобретению полупроводниковой структуры. 2 з.п. ф-лы.
Способ изготовления гетероструктуры InGaAsP/InP фотопреобразователя включает последовательное выращивание методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке InP в потоке очищенного водорода при пониженном давлении при температуре эпитаксии буферного слоя InP из триметилиндия и фосфина и слоя InxGa1-xAsyP1-y, где 0,59<х<0,80 и 0,55<у<0,92, из триметилиндия, триэтилгаллия, арсина и фосфина путем последовательного выращивания субслоев InxGa1-xAsyP1-y толщиной не более 100 нм. При этом после выращивания каждого субслоя InxGa1-xAsyP1-y прекращают подачу триметилиндия, триэтилгаллия, арсина и фосфина на (5-30) с. Изобретение обеспечивает повышение качества контроля стыковки кристаллов. 2 з.п. ф-лы.
