Патенты автора Дементьева Валентина Павловна (RU)
Изобретение относится к способам повышения критической температуры сверхпроводящего перехода (Тс) в высокотемпературных сверхпроводниках (ВТСП) и может быть использовано для создания различного рода датчиков и счетчиков в сверхбыстродействующих электронных устройствах, криоэлектронных приборах, детекторов СВЧ и др. На высокотемпературный сверхпроводник наносят слой диэлектрика, поверх которого наносят слой проводника и создают разность потенциалов между сверхпроводником и слоем проводника, соединив их с источником напряжения. Источник напряжения регулируется по величине напряжения. Изобретение обеспечивает повышение критической температуры сверхпроводящего перехода в поверхностном слое высокотемпературного сверхпроводника. 1 з.п. ф-лы.
