Патенты автора Иванченко Федор Сергеевич (RU)
Изобретение относится к литографическим шаблонам. Активный литографический шаблон характеризуется тем, что он содержит элементы в виде островков и окон, причем элементы в виде островков выполнены с возможностью совершать микромеханическое движение на расстояния от 1 нм до 500 мкм на этапе формирования шаблона и/или на этапе нанесения слоя/слоев целевого материала через данный шаблон, причем указанное движение обусловлено релаксацией механических напряжений в островках шаблона, механические напряжения, в свою очередь, вызваны протеканием физической и/или химической реакции в веществе островков шаблона, инициируемой внешним физическим и/или химическим воздействием. Изобретение обеспечивает увеличение максимальной допустимой толщины наносимого через шаблон материала и увеличение технологичности создания и использования шаблона. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 28 ил.
Изобретение относится к способу создания прозрачных проводящих композитных нанопокрытий (варианты). По первому варианту предварительно осуществляют химическое осаждение на нагретую подложку тонкой пленки углеродных нанотрубок. Осуществляют реактивное магнетронное распыление металлической мишени в атмосфере газовой смеси инертного и реактивного газов с осаждением на подложку покрытия из оксида индия. При реактивном магнетронном распылении используют мишень из чистого индия, а в качестве упомянутой газовой смеси используют газовую смесь с содержанием инертного газа и 30% кислорода. По второму варианту предварительно на подложку наносят наномикросетку методом растрескивающихся полимерных шаблонов с использованием жидкого кремнезоля и напылением металла с электронной проводимостью. Осуществляют реактивное магнетронное распыление металлической мишени в атмосфере газовой смеси инертного и реактивного газов, с осаждением на подложку покрытия из оксида индия. При реактивном магнетронном распылении используют мишень из чистого индия и газовую смесь с содержанием в ней 21% кислорода. Техническим результатом является снижение поверхностного сопротивления прозрачных проводящих покрытий с электронной проводимостью, а также получение прозрачного проводящего покрытия с дырочной проводимостью. 2 н.п. ф-лы, 1 ил., 2 пр.
