Патенты автора Печенкин Александр Александрович (RU)

Cпособ относится к области исследований радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники, в частности интегральных схем, к воздействию ионизирующих излучений. Способ оценки радиационной стойкости интегральных схем к воздействию отдельных заряженных частиц, основанный на локальном лазерном облучении, включает сканирование кристалла микросхемы пучком лазерного излучения диаметром в пределах от 30 до 100 мкм в плоскости приборного слоя кристалла, выявление наиболее чувствительных к одиночным радиационным эффектам (ОРЭ) областей, в которых определяют наиболее чувствительные узлы и снимают зависимость пороговой энергии лазерного излучения возникновения ОРЭ от диаметра пятна. Каждую из полученных зависимостей аппроксимируют математической моделью, и из параметров модели определяют пороговую энергию лазерного излучения, приведенного к остросфокусированному. В тех же чувствительных узлах регистрируют ионизационный отклик при локальном облучении в цепи питания схемы. На основе анализа амплитудно-временных характеристик ионизационного отклика по расчетным номограммам определяют эффективные емкость и сопротивление кристалла схемы и эффективные длины собирания заряда для каждой чувствительной области. Далее определяют коэффициент пересчета энергии лазерного излучения в эквивалентные значения линейных потерь энергии (ЛПЭ) для пороговой энергии приведенного к остросфокусированному лазерного излучения. Затем кристалл интегральной схемы последовательно сканируют лазерным пучком с фиксированным значением диаметра пятна, увеличивая энергию импульсов лазерного излучения от порога возникновения ОРЭ до энергии насыщения; для каждого значения энергии определяют эффективное значение ЛПЭ и соответствующее ему сечение ОРЭ, строят зависимость сечений ОРЭ от эффективных значений ЛПЭ и определяют величину сечения насыщения. Технический результат изобретения заключается в осуществлении испытаний ИС, в том числе имеющих многослойную металлизацию, на радиационную стойкость к ОРЭ от воздействия высокоэнергетичных отдельных заряженных частиц без использования калибровки с помощью ускорителей ионов при оценке эквивалентных линейных потерь энергии. 7 ил.

 


Наверх