Патенты автора ЧЖУ Хунбинь (US)
Предложена многоуровневая укладка элементов памяти, имеющих слой из оксида алюминия (AlOx) в качестве благородного слоя HiK для обеспечения избирательности остановки вытравливания. Каждый уровень укладки включает в себя устройство элемента памяти. Схема включает в себя поликристаллический слой выбора затвора (слой поли-SGS), примыкающий к многоуровневой укладке элементов памяти, причем слой поли-SGS предназначен для обеспечения сигнала выбора затвора для элементов памяти многоуровневой укладки. Схема также включает в себя проводящий слой истока для обеспечения проводника истока для канала для уровней укладки. Слой AlOx расположен между слоем истока и слоем поли-SGS и обеспечивает избирательность как при сухом вытравливании, так и при влажном вытравливании для формирования канала для электрического соединения элементов памяти со слоем истока. Изобретение обеспечивает улучшение рабочих характеристик получаемых устройств высокой плотности. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 11 ил.
