Патенты автора ЛИ Минсу (US)

Предложены технологии создания линий доступа в энергонезависимом запоминающем устройстве. Варианты технологий содержат создание одного или нескольких проходящих через матрицу сквозных отверстий в части матрицы ячеек памяти в составе энергонезависимого запоминающего устройства, такой как область собственно матрицы ячеек памяти или периферийная область, так что через эти сквозные отверстия могут быть проложены одна или несколько линий выборки вместо того, чтобы прокладывать эти линии над или под областью собственно матрицы ячеек памяти или периферийной областью в матрице ячеек памяти. Это может позволить применять альтернативные конфигурации соединений и может позволить проложить дополнительные линии доступа без увеличения или без существенного увеличения высоты блока в энергонезависимом запоминающем устройстве. Предложено энергонезависимое запоминающее устройство, использующее такие технологии. 2 н. и 21 з.п. ф-лы, 6 ил.

 


Наверх