Патенты автора СУ Ко Хуэй (TW)
Изобретение относится к тонкопленочному транзистору (TFT), содержащему подложку (100) со слоем (101) электрода затвора, наложенным и структурированным на ней, и изолирующим слоем (102) затвора, наложенным на слой электрода затвора и подложку. Транзистор дополнительно содержит (i) несущий инжекционный слой (103), расположенный выше изолирующего слоя (102) затвора, (ii) слой (104) электрода истока/стока (И/С), наложенный на несущий инжекционный слой, и (iii) полупроводниковый слой (106), который непосредственно контактирует с изолирующим слоем затвора, несущим инжекционным слоем и слоем электрода истока/стока. Предложены способ производства таких транзисторов, устройства, содержащие такие TFT, и применение таких TFT. Изобретение обеспечивает получение полупроводникового слоистого материала, который обладает улучшенными проводящими свойствами. 4 н. и 24 з.п. ф-лы, 12 ил.
